MPN

řada: PowerTrenchMOSFET FDP053N08B_F102 N-kanálový 120 A 80 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Nedostupné

Společnost RS již nebude tento výrobek vést skladem.

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	onsemi
	Typ kanálu	N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud	120 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj	80 V
	Řada	PowerTrench
	Typ balení	TO-220
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor kolektor/zdroj	5.3 mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody	2.5V
	Maximální ztrátový výkon	146 W
	Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-20 V, +20 V
	Délka	10.36mm
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	65,4 nC při 10 V
	Počet prvků na čip	1
	Šířka	4.672mm
	Maximální pracovní teplota	+175 °C
	Materiál tranzistoru	Si
	Minimální provozní teplota	-55 °C
	Výška	15.215mm

	Vybrat vše
	Značka onsemi
	Typ kanálu N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud 120 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj 80 V
	Řada PowerTrench
	Typ balení TO-220
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor kolektor/zdroj 5.3 mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody 2.5V
	Maximální ztrátový výkon 146 W
	Konfigurace tranzistoru Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V
	Délka 10.36mm
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 65,4 nC při 10 V
	Počet prvků na čip 1
	Šířka 4.672mm
	Maximální pracovní teplota +175 °C
	Materiál tranzistoru Si
	Minimální provozní teplota -55 °C
	Výška 15.215mm

Související odkazy

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.