řada: PowerTrenchMOSFET FDP053N08B_F102 N-kanálový 120 A 80 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- Skladové číslo RS:
- 864-8530P
- Výrobní číslo:
- FDP053N08B_F102
- Výrobce:
- onsemi
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Mezisoučet 20 jednotky/-ek (dodává se v tubě)*
774,90 Kč
(bez DPH)
937,62 Kč
(s DPH)
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 20 + | 38,745 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 864-8530P
- Výrobní číslo:
- FDP053N08B_F102
- Výrobce:
- onsemi
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální stejnosměrný odběrový proud | 120 A | |
| Maximální napětí kolektor/zdroj | 80 V | |
| Řada | PowerTrench | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor kolektor/zdroj | 5.3 mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální prahové napětí řídicí elektrody | 2.5V | |
| Maximální ztrátový výkon | 146 W | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | -20 V, +20 V | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs | 65,4 nC při 10 V | |
| Délka | 10.36mm | |
| Maximální pracovní teplota | +175 °C | |
| Šířka | 4.672mm | |
| Materiál tranzistoru | Si | |
| Výška | 15.215mm | |
| Minimální provozní teplota | -55 °C | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální stejnosměrný odběrový proud 120 A | ||
Maximální napětí kolektor/zdroj 80 V | ||
Řada PowerTrench | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor kolektor/zdroj 5.3 mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální prahové napětí řídicí elektrody 2.5V | ||
Maximální ztrátový výkon 146 W | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 65,4 nC při 10 V | ||
Délka 10.36mm | ||
Maximální pracovní teplota +175 °C | ||
Šířka 4.672mm | ||
Materiál tranzistoru Si | ||
Výška 15.215mm | ||
Minimální provozní teplota -55 °C | ||
- Země původu (Country of Origin):
- US
Související odkazy
- řada: PowerTrenchMOSFET FDP032N08B_F102 N-kanálový 211 A 80 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: PowerTrenchMOSFET FDP020N06B_F102 N-kanálový 120 A TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: PowerTrenchMOSFET FDP150N10A_F102 N-kanálový 50 A 100 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: PowerTrenchMOSFET FDP038AN06A0 N-kanálový 17 A 60 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: PowerTrenchMOSFET FDS8880 N-kanálový 11 SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
- řada: PowerTrenchMOSFET FDMC86520DC N-kanálový 17 A 60 V počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
- řada: PowerTrenchMOSFET FDD6670A N-kanálový 66 A 30 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: PowerTrenchMOSFET FDD86113LZ N-kanálový 5 DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si