řada: PowerTrenchMOSFET FDP038AN06A0 N-kanálový 17 A 60 V, TO-220AB, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*

1 735,25 Kč

(bez DPH)

2 099,65 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks
za jednotku
za tubu*
50 +34,705 Kč1 735,25 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
124-1747
Výrobní číslo:
FDP038AN06A0
Výrobce:
Fairchild Semiconductor
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Fairchild Semiconductor

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

17 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Typ balení

TO-220AB

Řada

PowerTrench

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

4 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

310 W

Konfigurace tranzistoru

Jednoduchý

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Šířka

4.83mm

Materiál tranzistoru

Si

Délka

10.67mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

96 nC při 10 V

Počet prvků na čip

1

Maximální pracovní teplota

+175 °C

Minimální provozní teplota

-55 °C

Výška

9.65mm

Země původu (Country of Origin):
CN

PowerTrench® N-Channel MOSFET, 10 A až 19,9A, Fairchild Semiconductor



Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.
U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy