MOSFET IRLZ44PBF N-kanálový 50 A 60 V, JEDEC TO-220AB Vishay 1 Jednoduchý
- Skladové číslo RS:
- 180-8367
- Výrobní číslo:
- IRLZ44PBF
- Výrobce:
- Vishay
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 180-8367
- Výrobní číslo:
- IRLZ44PBF
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id) | 50 A | |
| Maximální napětí na zdroji (Vds) | 60 V | |
| Typ balení | JEDEC TO-220AB | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Výška | 6.48 mm | |
| Délka | 14.4 mm | |
| Maximální odpor zdroje (Rds) | 0.028 Ω | |
| Maximální napětí zdroje brány (Vgs) | 10 V | |
| Maximální provozní teplota | 175 °C | |
| Maximální ztrátový výkon (Pd) | 150 W | |
| Minimální provozní teplota | -55 °C | |
| Normy/schválení | RoHS 2002/95/EC | |
| Typický náboj brány (Qg) @ Vgs | 66 nC | |
| Šířka | 10.52 mm | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Automobilový standard Ne | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id) 50 A | ||
Maximální napětí na zdroji (Vds) 60 V | ||
Typ balení JEDEC TO-220AB | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Výška 6.48 mm | ||
Délka 14.4 mm | ||
Maximální odpor zdroje (Rds) 0.028 Ω | ||
Maximální napětí zdroje brány (Vgs) 10 V | ||
Maximální provozní teplota 175 °C | ||
Maximální ztrátový výkon (Pd) 150 W | ||
Minimální provozní teplota -55 °C | ||
Normy/schválení RoHS 2002/95/EC | ||
Typický náboj brány (Qg) @ Vgs 66 nC | ||
Šířka 10.52 mm | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
The Vishay MOSFET is an N-channel, TO-220AB-3 package is a new age product with a drain-source voltage of 60V and maximum gate-source voltage of 10V. It has a drain-source resistance of 28mohm at a gate-source voltage of 5V. The MOSFET has a maximum power dissipation of 150W. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Dynamic dV/dt rating
• Ease of paralleling
• Fast switching
• Lead (Pb) free component
• Logic-level gate drive
• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C
• RDS (on) specified at VGS = 4V and 5V
• Simple drive requirements
Applications
• Battery chargers
• Inverters
• Power supplies
• Switching mode power supply (SMPS)
Související odkazy
- MOSFET IRLZ44PBF N-kanálový 50 A 60 V, JEDEC TO-220AB Vishay 1 Jednoduchý
- Výkonový MOSFET IRFZ44RPBF N-kanálový 50 A 60 V, JEDEC TO-220AB Vishay 1 Jednoduchý
- MOSFET IRFZ44PBF N-kanálový 50 A 60 V Vishay, JEDEC TO-220AB
- Výkonový MOSFET IRF9Z24PBF Typ P-kanálový 11 A 60 V, JEDEC TO-220AB Vishay 1 Jednoduchý
- Výkonový MOSFET IRL620PBF N-kanálový 5.2 A 200 V, JEDEC TO-220AB Vishay Jednoduchý
- Výkonový MOSFET IRFB17N50LPBF N-kanálový 16 A 500 V, JEDEC TO-220AB Vishay 1 Jednoduchý
- Výkonový MOSFET IRF9Z30PBF Typ P-kanálový 18 A 50 V, JEDEC TO-220AB Vishay 1 Jednoduchý
- MOSFET SUP90P06-09L-E3 Typ P-kanálový 90 A 60 V, JEDEC TO-220AB Vishay