MPN

řada: PowerTrenchMOSFET FDP020N06B_F102 N-kanálový 120 A, 313 A 60 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	onsemi
	Typ kanálu	N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud	120 A, 313 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj	60 V
	Typ balení	TO-220
	Řada	PowerTrench
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor kolektor/zdroj	2 mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody	2.5V
	Maximální ztrátový výkon	333 W
	Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-20 V, +20 V
	Materiál tranzistoru	Si
	Šířka	4.672mm
	Počet prvků na čip	1
	Maximální pracovní teplota	+175 °C
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	206 nC při 10 V
	Délka	10.36mm
	Minimální provozní teplota	-55 °C
	Výška	15.215mm

	Vybrat vše
	Značka onsemi
	Typ kanálu N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud 120 A, 313 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj 60 V
	Typ balení TO-220
	Řada PowerTrench
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor kolektor/zdroj 2 mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody 2.5V
	Maximální ztrátový výkon 333 W
	Konfigurace tranzistoru Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V
	Materiál tranzistoru Si
	Šířka 4.672mm
	Počet prvků na čip 1
	Maximální pracovní teplota +175 °C
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 206 nC při 10 V
	Délka 10.36mm
	Minimální provozní teplota -55 °C
	Výška 15.215mm

Související odkazy

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.