řada: PowerTrenchMOSFET FDP020N06B_F102 N-kanálový 120 A, 313 A 60 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- Skladové číslo RS:
- 145-5421
- Výrobní číslo:
- FDP020N06B_F102
- Výrobce:
- onsemi
Mezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
2 215,95 Kč
(bez DPH)
2 681,30 Kč
(s DPH)
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 + | 44,319 Kč | 2 215,95 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 145-5421
- Výrobní číslo:
- FDP020N06B_F102
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální stejnosměrný odběrový proud | 120 A, 313 A | |
| Maximální napětí kolektor/zdroj | 60 V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | PowerTrench | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor kolektor/zdroj | 2 mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální prahové napětí řídicí elektrody | 2.5V | |
| Maximální ztrátový výkon | 333 W | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | -20 V, +20 V | |
| Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs | 206 nC při 10 V | |
| Maximální pracovní teplota | +175 °C | |
| Materiál tranzistoru | Si | |
| Délka | 10.36mm | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Šířka | 4.672mm | |
| Minimální provozní teplota | -55 °C | |
| Výška | 15.215mm | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální stejnosměrný odběrový proud 120 A, 313 A | ||
Maximální napětí kolektor/zdroj 60 V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada PowerTrench | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor kolektor/zdroj 2 mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální prahové napětí řídicí elektrody 2.5V | ||
Maximální ztrátový výkon 333 W | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V | ||
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 206 nC při 10 V | ||
Maximální pracovní teplota +175 °C | ||
Materiál tranzistoru Si | ||
Délka 10.36mm | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Šířka 4.672mm | ||
Minimální provozní teplota -55 °C | ||
Výška 15.215mm | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
PowerTrench® N-Channel MOSFET, více než 60A, Fairchild Semiconductor
Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi
U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.
U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.
U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.
Související odkazy
- řada: PowerTrenchMOSFET FDP150N10A_F102 N-kanálový 50 A 100 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: PowerTrenchMOSFET FDP032N08B_F102 N-kanálový 211 A 80 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: PowerTrenchMOSFET FDP038AN06A0 N-kanálový 17 A 60 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: PowerTrenchMOSFET FDH038AN08A1 N-kanálový 80 A 75 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: PowerTrenchMOSFET FDS8880 N-kanálový 11 SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
- řada: TKMOSFET TK40E06N1 N-kanálový 60 A 60 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: PowerTrenchMOSFET FDS4675-F085 P-kanálový 11 A 40 V počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
- řada: PowerTrenchMOSFET FDB8447L N-kanálový 50 A 40 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
