řada: TK MOSFET TK20J60W,S1VQ(O Typ N-kanálový 20 A 600 V Toshiba, TO-3P, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 827-6163
- Výrobní číslo:
- TK20J60W,S1VQ(O
- Výrobce:
- Toshiba
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
429,53 Kč
(bez DPH)
519,732 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 252 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 214,765 Kč | 429,53 Kč |
| 20 - 38 | 162,775 Kč | 325,55 Kč |
| 40 - 72 | 153,385 Kč | 306,77 Kč |
| 74 - 148 | 149,56 Kč | 299,12 Kč |
| 150 + | 145,485 Kč | 290,97 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 827-6163
- Výrobní číslo:
- TK20J60W,S1VQ(O
- Výrobce:
- Toshiba
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Toshiba | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 20A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Řada | TK | |
| Typ balení | TO-3P | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 155mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | -1.7V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 48nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 165W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 15.5mm | |
| Šířka | 4.5mm | |
| Výška | 20mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Toshiba | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 20A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Řada TK | ||
Typ balení TO-3P | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 155mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf -1.7V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 48nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 165W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 15.5mm | ||
Šířka 4.5mm | ||
Výška 20mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- JP
MOSFET N-Channel, řada TK2x, Toshiba
Tranzistory MOSFET, Toshiba
Související odkazy
- řada: TK MOSFET TK20J60W TO-3P, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET Typ N-kanálový 20 A 600 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET TK12J60W TO-3PN, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: DTMOSIV MOSFET TK16J60W TO-3P, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: DTMOSIV MOSFET TK31J60W5 TO-3PN, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: DTMOSIV MOSFET TK39J60W5 TO-3PN, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET Typ N-kanálový 62 A 600 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET Typ N-kanálový 31 A 600 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení