řada: HEXFET MOSFET IRFS4615TRLPBF N-kanálový 33 A 150 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 827-4114
- Výrobní číslo:
- IRFS4615TRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
315,67 Kč
(bez DPH)
381,96 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 200 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 63,134 Kč | 315,67 Kč |
| 50 - 120 | 56,712 Kč | 283,56 Kč |
| 125 - 245 | 53,006 Kč | 265,03 Kč |
| 250 - 495 | 49,894 Kč | 249,47 Kč |
| 500 + | 45,992 Kč | 229,96 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 827-4114
- Výrobní číslo:
- IRFS4615TRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 33A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 150V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 42mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 26nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 144W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Šířka | 9.65mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 10.67mm | |
| Výška | 4.83mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 33A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 150V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 42mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 26nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 144W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Šířka 9.65mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 10.67mm | ||
Výška 4.83mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
MOSFET Infineon řady HEXFET, maximální zdrojové napětí vypouštění 150 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 33 A – IRFS4615TRLPBF
Tento MOSFET je vysokonapěťový tranzistor s N-kanálem s režimem zesílení navržený pro napájecí spínání v sestavách pro povrchovou montáž. Pracuje v širokém rozsahu teplot a je vhodný pro náročná tepelná prostředí a zároveň zajišťuje řízené spínání řízené hradlem pro aplikace se středním až vysokým proudem.
Charakteristiky a výhody:
• Odolnost proti vypouštění zdroje 150 V umožňuje vysokonapěťové spínání
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 33 A podporuje značné zátěžové proudy
• RDS(on) 42 mΩ minimalizuje ztráty při vedení při vysoké zátěži
• Typický náboj hradla 26 nC umožňuje předvídat požadavky na pohon
• Maximální ztrátový výkon 144 W zvládne vyšší úrovně výkonu
• Limit hradlo-zdroj 20 V chrání před nadměrným namáháním hradla
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 33 A podporuje značné zátěžové proudy
• RDS(on) 42 mΩ minimalizuje ztráty při vedení při vysoké zátěži
• Typický náboj hradla 26 nC umožňuje předvídat požadavky na pohon
• Maximální ztrátový výkon 144 W zvládne vyšší úrovně výkonu
• Limit hradlo-zdroj 20 V chrání před nadměrným namáháním hradla
Aplikace
• Vhodné pro měniče DC/DC v průmyslových napájecích zdrojích
• Ideální pro stupně pohonu motoru vyžadující vysoký proud
• Používá se se systémy řízení baterií vyžadujícími vysokonapěťové spínání
• Lze použít pro synchronní usměrňování při převodu výkonu
• Vhodné pro vysokoteplotní napájecí moduly v náročných prostředích
• Ideální pro stupně pohonu motoru vyžadující vysoký proud
• Používá se se systémy řízení baterií vyžadujícími vysokonapěťové spínání
• Lze použít pro synchronní usměrňování při převodu výkonu
• Vhodné pro vysokoteplotní napájecí moduly v náročných prostředích
Jaké tepelné limity řídí dlouhodobý provoz?
Zařízení je specifikováno pro provoz v rozsahu -55 °C až 175 °C, což umožňuje použití ve vysokoteplotních systémech, kde se očekává zvýšená teplota spoje.
Jaké pouzdro a typ montáže vyžaduje?
Dodává se v pouzdru TO-263 určeném pro montáž na povrch na vhodné vzory měděné plochy pro rozptyl tepla.
Jak nabíjení hradla ovlivňuje výběr ovladače?
S typickým celkovým nábojem hradla 26 nC by konstruktéři měli vybírat ovladače schopné zajistit požadovaný náboj v cílovém časovém rámci spínání, aby se omezily přechodové ztráty.
Jaká napěťová omezení platí pro hradlo a odvod?
Maximální přípustné napětí mezi bránou a zdrojem je 20 V, zatímco jmenovité napětí mezi drain a zdrojem je 150 V, což definuje bezpečné provozní hranice pro pohon brány a přechodové stavy zátěže.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 33 A 150 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 33 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF540NSTRRPBF N-kanálový 33 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF540NSTRLPBF Typ N-kanálový 33 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 105 A 150 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFS4115TRL7PP N-kanálový 105 A 150 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 33 A 150 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFU4615PBF N-kanálový 33 A 150 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení