řada: HEXFET MOSFET IRFU4615PBF N-kanálový 33 A 150 V Infineon, IPAK, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 262-6781
- Výrobní číslo:
- IRFU4615PBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
194,64 Kč
(bez DPH)
235,515 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 795 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 38,928 Kč | 194,64 Kč |
| 50 - 120 | 34,284 Kč | 171,42 Kč |
| 125 - 245 | 31,912 Kč | 159,56 Kč |
| 250 - 495 | 29,64 Kč | 148,20 Kč |
| 500 + | 21,44 Kč | 107,20 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 262-6781
- Výrobní číslo:
- IRFU4615PBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 33A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 150V | |
| Typ balení | IPAK | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 42mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 26nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 144W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 33A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 150V | ||
Typ balení IPAK | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 42mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 26nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 144W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový tranzistor MOSFET společnosti Infineon nabízí výhody, jako je lepší hradlo, lavinová a dynamická odolnost dV/dt a plně charakterizovaná kapacita a lavinová SOA.
Vylepšená schopnost tělesné diody dV/dt a dI/dt
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 33 A 150 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 160 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 80 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 31 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 11 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 63 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 9.4 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 17 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení