řada: HEXFET MOSFET IRF540NSTRRPBF Typ N-kanálový 33 A 100 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 831-2840
- Výrobní číslo:
- IRF540NSTRRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
343,82 Kč
(bez DPH)
416,02 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 110 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 34,382 Kč | 343,82 Kč |
| 100 - 240 | 32,653 Kč | 326,53 Kč |
| 250 - 490 | 29,912 Kč | 299,12 Kč |
| 500 - 990 | 25,787 Kč | 257,87 Kč |
| 1000 + | 21,662 Kč | 216,62 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 831-2840
- Výrobní číslo:
- IRF540NSTRRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 33A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 44mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 130W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 71nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 4.83mm | |
| Délka | 10.67mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 33A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 44mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 130W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 71nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 4.83mm | ||
Délka 10.67mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFETy Infineon řady HEXFET, 33 A maximální trvalý vypouštěcí proud, 130 W maximální ztrátový výkon - IRF540NSTRRPBF
Tento N-kanálový výkonový tranzistor MOSFET je speciálně navržen pro aplikace s vysokou účinností a poskytuje významný výkon v různých elektronických systémech. Vyniká v prostředí s vysokým proudem, kde je důležitá spolehlivost a nízká odolnost. Díky svým vylepšením je užitečný zejména v odvětvích zaměřených na automatizaci a řízení spotřeby.
Vlastnosti a výhody
• Nízká hodnota RDS(on) minimalizuje ztráty energie během provozu
• Schopnost trvalého odběrového proudu 33 A podporuje různé aplikace
• Široký rozsah napětí na hradle a zdroji poskytuje flexibilitu návrhu
• Odolává vysokým teplotám až do 175 °C
• Rychlé přepínání zvyšuje celkovou účinnost obvodu
• Konstrukce D2PAK pro povrchovou montáž usnadňuje integraci do desek plošných spojů
Aplikace
• Používá se v obvodech řízení spotřeby pro automatizaci
• Běžně se používají v měničích DC-DC pro zvýšení energetické účinnosti
• Vhodné pro motorový pohon které vyžadují vysoký proud
• V napájecích modulech pro průmyslovou elektroniku
• Vhodné pro automobilový průmysl díky robustnímu tepelnému výkonu
Jaký význam má nízká hodnota RDS(on) v provozu?
Nízká hodnota RDS(on) snižuje tvorbu tepla a zvyšuje energetickou účinnost, což má zásadní význam pro prodloužení životnosti komponent a snížení provozních nákladů.
Jak se MOSFET chová při vyšších teplotách?
Spolehlivě pracuje až do 175 °C, což zajišťuje stabilitu v extrémních podmínkách a zároveň bezchybné splnění požadavků na výkon.
Zvládne toto zařízení pulzní proudy a jaké jsou jeho specifikace?
Podporuje pulzní odtokové proudy až do 110 A, čímž efektivně zvládá krátké výboje vysokého výkonu a je ideální pro aplikace s kolísavým zatížením.
Jaké důsledky má zadané prahové napětí hradla?
Rozsah prahového napětí hradla 2 V až 4 V udává napětí potřebné k zahájení vodivosti a poskytuje tak zásadní informace pro integraci do řídicích obvodů.
Jak balíček D2PAK ovlivňuje jeho použitelnost?
Konstrukce pouzdra D2PAK podporuje účinný odvod tepla a zjednodušuje montáž na povrch, takže je vhodná pro vysoce výkonné aplikace na kompaktních deskách plošných spojů.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 33 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 33 A 150 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFS4615TRLPBF Typ N-kanálový 33 A 150 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF540NSTRLPBF Typ N-kanálový 33 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 14 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 400 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 293 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 190 A 100 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení