AEC-Q101, řada: OptiMOS MOSFET Typ N-kanálový 300 mA 60 V, SC-88, počet kolíků: 6 kolíkový Infineon Vylepšení 2
- Skladové číslo RS:
- 827-0002
- Výrobní číslo:
- 2N7002DWH6327XTSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 naviják po 500 kusech)*
936,50 Kč
(bez DPH)
1 133,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 13 000 jednotka(y) budou odesílané od 01. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 500 - 500 | 1,873 Kč | 936,50 Kč |
| 1000 - 2000 | 1,78 Kč | 890,00 Kč |
| 2500 - 4500 | 1,602 Kč | 801,00 Kč |
| 5000 + | 1,593 Kč | 796,50 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 827-0002
- Výrobní číslo:
- 2N7002DWH6327XTSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 300mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | SC-88 | |
| Řada | OptiMOS | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 6 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 0.4nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 500mW | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 0.96V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Izolovaný | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 1.25mm | |
| Výška | 0.8mm | |
| Délka | 2mm | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 300mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení SC-88 | ||
Řada OptiMOS | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 6 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 0.4nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 500mW | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 0.96V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Konfigurace tranzistoru Izolovaný | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 1.25mm | ||
Výška 0.8mm | ||
Délka 2mm | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS™ Dual Power MOSFET
Tranzistory MOSFET, Infineon
Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.
Související odkazy
- AEC-Q101 SC-88, počet kolíků: 6 kolíkový Infineon
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SC-88, počet kolíků: 6 kolíkový Infineon Vylepšení 2
- řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 88 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET IPP110N20N3GXKSA1 Typ N-kanálový 88 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 SC-88, počet kolíků: 6 kolíkový Infineon
- AEC-Q101 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení