AEC-Q101, řada: OptiMOS 2 MOSFET BSD235NH6327XTSA1 Typ N-kanálový 950 mA 20 V, SC-88, počet kolíků: 6 kolíkový Infineon
- Skladové číslo RS:
- 165-5872
- Výrobní číslo:
- BSD235NH6327XTSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*
6 225,00 Kč
(bez DPH)
7 533,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 6 000 jednotka(y) budou odesílané od 01. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 2,075 Kč | 6 225,00 Kč |
| 6000 - 6000 | 1,971 Kč | 5 913,00 Kč |
| 9000 + | 1,847 Kč | 5 541,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 165-5872
- Výrobní číslo:
- BSD235NH6327XTSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 950mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Řada | OptiMOS 2 | |
| Typ balení | SC-88 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 6 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 600mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 0.32nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 0.9V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 500mW | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 12V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Izolovaný | |
| Šířka | 1.25mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 2mm | |
| Výška | 0.8mm | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 950mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Řada OptiMOS 2 | ||
Typ balení SC-88 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 6 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 600mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 0.32nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 0.9V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 500mW | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 12V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Konfigurace tranzistoru Izolovaný | ||
Šířka 1.25mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 2mm | ||
Výška 0.8mm | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Řada výkonových MOSFET Infineon OptiMOS™2
Řada N-Channel společnosti Infineon nabízí nejnižší odolnost v terénu uvnitř napěťové skupiny. Řadu výkonových MOSFET lze použít v mnoha aplikacích, včetně vysokofrekvenčních telekomunikačních, datových center, solárních, nízkonapěťových jednotek a napájecích zdrojů serverů. Produktová řada OptiMOS 2 se pohybuje od 20 V a více a nabízí výběr různých typů balíčků.
Tranzistory MOSFET, Infineon
Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.
Související odkazy
- AEC-Q101 SC-88, počet kolíků: 6 kolíkový Infineon Vylepšení 2
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 SC-88, počet kolíků: 6 kolíkový Infineon
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SC-88, počet kolíků: 6 kolíkový Infineon Vylepšení 2
- řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 88 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET IPP110N20N3GXKSA1 Typ N-kanálový 88 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET Typ N-kanálový 6 A 950 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení