AEC-Q101, řada: OptiMOS MOSFET 2N7002DWH6327XTSA1 N-kanálový 300 mA 60 V, SC-88, počet kolíků: 6 kolíkový Infineon
- Skladové číslo RS:
- 145-9487
- Výrobní číslo:
- 2N7002DWH6327XTSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (3000 jednotky/-ek, v kotouči po 3000 ks)*
4 182,00 Kč
(bez DPH)
5 061,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 12 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 1,394 Kč | 4 182,00 Kč |
| 6000 - 12000 | 1,324 Kč | 3 972,00 Kč |
| 15000 + | 1,269 Kč | 3 807,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 145-9487
- Výrobní číslo:
- 2N7002DWH6327XTSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 300mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Řada | OptiMOS | |
| Typ balení | SC-88 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 6 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 500mW | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 0.4nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20V, +20V | |
| Přímé napětí Vf | 0.96V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Izolovaný | |
| Šířka | 1.25mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 2mm | |
| Výška | 0.8mm | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 300mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Řada OptiMOS | ||
Typ balení SC-88 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 6 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 500mW | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 0.4nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V | ||
Přímé napětí Vf 0.96V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Konfigurace tranzistoru Izolovaný | ||
Šířka 1.25mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 2mm | ||
Výška 0.8mm | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
MOSFET Infineon řady OptiMOS, napětí zdroje drain 60 V, odpor zdroje drain 4 Ω – 2N7002DWH6327XTSA1
Tento MOSFET je N-kanálový tranzistor pro povrchovou montáž navržený pro nízkovýkonové spínání v omezených sestavách. Pracuje v režimu zesílení a kombinuje dva prvky na jednom čipu, aby zajistil kompaktní spínání s dvojitým výstupkem, které je vhodné pro automobilová a průmyslová prostředí. Zařízení je určeno pro aplikace na úrovni desky vyžadující skromnou manipulaci s proudem a řízený odpor při zapnutí.
Charakteristiky a výhody:
• Jmenovitý vypouštěcí proud 60 V umožňuje spínání při vyšším napětí
• Maximální hodnota Rds 4 Ω snižuje ztráty při vedení v zapnutém stavu
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 300 mA podporuje nízkoproudové zátěže
• Typické náboj hradla 0.4 nC umožňuje rychlé a efektivní přepínání
• Rozptýlení výkonu 500 mW je vhodné pro konstrukce s nízkou spotřebou a tepelným omezením
• Provozní rozsah -55 °C až 150 °C zajišťuje tepelnou odolnost
• Maximální hodnota Rds 4 Ω snižuje ztráty při vedení v zapnutém stavu
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 300 mA podporuje nízkoproudové zátěže
• Typické náboj hradla 0.4 nC umožňuje rychlé a efektivní přepínání
• Rozptýlení výkonu 500 mW je vhodné pro konstrukce s nízkou spotřebou a tepelným omezením
• Provozní rozsah -55 °C až 150 °C zajišťuje tepelnou odolnost
Aplikace
• Vhodné pro spínání zátěže ovládané mikrokontrolérem
• Ideální pro propojení snímačů v automobilových systémech
• Používá se s vyvažovacími obvody pro řízení baterií
• Lze použít pro malé výměny relé
• Vhodné pro kompaktní řízení napájecí dráhy SMD
• Ideální pro propojení snímačů v automobilových systémech
• Používá se s vyvažovacími obvody pro řízení baterií
• Lze použít pro malé výměny relé
• Vhodné pro kompaktní řízení napájecí dráhy SMD
Jaké pouzdro a počet kolíků mám připravit pro uspořádání PCB?
Zařízení je dodáváno v malém pouzdru pro povrchovou montáž SC-88 se šesti kolíky, takže podložky a tepelná odlehčovač by měly odpovídat půdorysu SC-88.
Jak čip se dvěma prvky ovlivňuje paralelní provoz?
Dva prvky na stejné čelisti umožňují kompaktní dvoukanálové uspořádání bez externího zapojení, ale celkové tepelné limity na balení zůstávají zachovány.
Jaké limity napětí hradla a vypouštění musí být dodržovány?
Napětí hradla-zdroje nesmí překročit ±20 V, zatímco omezení napětí drain-zdroj je 60 V, aby se zabránilo namáhání zařízení.
Jaké napětí lze očekávat při vedení?
Měření přímého napětí přibližně 0,96 V platí za specifikovaných zkušebních podmínek pro příslušné vodivé dráhy.
Související odkazy
- AEC-Q101 SC-88, počet kolíků: 6 kolíkový Infineon Vylepšení 2 Izolovaný
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SC-88, počet kolíků: 6 kolíkový Infineon
- AEC-Q101 SC-88, počet kolíků: 6 kolíkový Infineon Vylepšení 2 Izolovaný
- řada: OptiMOS 3 MOSFET N-kanálový 88 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET IPP110N20N3GXKSA1 N-kanálový 88 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SC-70, počet kolíků: 3 kolíkový