řada: OptiMOS 3 MOSFET IPB600N25N3GATMA1 Typ N-kanálový 25 A 250 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 826-9204
- Výrobní číslo:
- IPB600N25N3GATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
627,38 Kč
(bez DPH)
759,13 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 540 jednotka(y) budou odesílané od 17. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | 62,738 Kč | 627,38 Kč |
| 20 - 40 | 59,576 Kč | 595,76 Kč |
| 50 - 90 | 57,082 Kč | 570,82 Kč |
| 100 - 240 | 54,587 Kč | 545,87 Kč |
| 250 + | 50,833 Kč | 508,33 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 826-9204
- Výrobní číslo:
- IPB600N25N3GATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 25A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 250V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | OptiMOS 3 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 60mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 22nC | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 136W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 4.57mm | |
| Délka | 10.31mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 25A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 250V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada OptiMOS 3 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 60mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 22nC | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 136W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 4.57mm | ||
Délka 10.31mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon OptiMOS™3 - výkonové MOSFET, 100 V
Tranzistory MOSFET, Infineon
Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.
Související odkazy
- řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 25 A 250 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 64 A 250 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET IPB200N25N3GATMA1 Typ N-kanálový 64 A 250 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 80 A 80 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 50 A 150 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 50 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 120 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 100 A 150 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení