řada: OptiMOS 3 MOSFET N-kanálový 25 A 250 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 124-8755
Výrobní číslo:: IPB600N25N3GATMA1
Výrobce:: Infineon

řada: OptiMOS 3 MOSFET N-kanálový 25 A 250 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 1000 kusech)*

33 887,00 Kč

(bez DPH)

41 003,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 11. června 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
1000 +	33,887 Kč	33 887,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 124-8755
Výrobní číslo:: IPB600N25N3GATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	25A
	Maximální napětí na zdroji Vds	250V
	Typ balení	TO-263
	Řada	OptiMOS 3
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	60mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd	136W
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Přímé napětí Vf	1V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	22nC
	Maximální provozní teplota	175°C
	Výška	4.57mm
	Délka	10.31mm
	Normy/schválení	No
	Šířka	9.45mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 25A
	Maximální napětí na zdroji Vds 250V
	Typ balení TO-263
	Řada OptiMOS 3
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 60mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd 136W
	Minimální provozní teplota -55°C
	Přímé napětí Vf 1V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 22nC
	Maximální provozní teplota 175°C
	Výška 4.57mm
	Délka 10.31mm
	Normy/schválení No
	Šířka 9.45mm
	Automobilový standard Ne

Země původu (Country of Origin):: CN

MOSFET Infineon OptiMOS řady 3, zdrojové napětí vypouštění 250 V, nepřetržitý vypouštěcí proud 25 A – IPB600N25N3GATMA1

Tento MOSFET je vysokonapěťový N-kanálový spínací tranzistor navržený pro výkonové převody a spínací úkoly v náročných elektronických systémech. Pracuje ve velmi širokém teplotním rozsahu a je konfigurován pro implementaci do povrchu, což nabízí kompaktní půdorys pro řízení teploty v sestavách, kde je vyžadováno robustní řízení výkonu a řízení hradla.

Charakteristiky a výhody:

• Jmenovité napětí 250 V umožňuje vysokonapěťové spínání
• Odpor při zapnutí 60 mΩ snižuje ztráty při vedení a zvyšuje účinnost
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 25 A podporuje provoz při trvalém vysokém zatížení
• Rozptýlení výkonu 136 W umožňuje výraznou manipulaci s teplem v obvodech
• Nabíjení hradla 22 nC umožňuje předvídat spínací energii a konstrukci pohonu
• Limit hradla-zdroje 20 V umožňuje standardní napěťové rozpětí hradla

Aplikace

• Vhodné pro primární spínací stupně vysokonapěťových SMPS
• Ideální pro nohy průmyslových měničů s pohonem motoru
• Používá se pro měniče DC/DC v telekomunikačních napájecích systémech
• Lze použít pro správu akumulátoru a topologii nabíječky
• Používá se při univerzálním spínání napájení na deskách pro povrchovou montáž

Jaký tepelný rozsah může tolerovat během provozu?

Je určen pro provoz v rozsahu -55 °C až 175 °C, což umožňuje použití v prostředích s extrémními kolísání teploty.

Jaký typ pouzdra usnadňuje montáž a přenos tepla?

Dodává se v pouzdru TO-263 pro povrchovou montáž, který usnadňuje montáž pájením a nabízí velkou tepelnou podložku pro šíření tepla rezistoru.

Jak se zařízení chová pro konstrukci pohonu hradla?

Typický náboj hradla 22 nC zajišťuje kvantifikovatelnou spínací energii podle velikosti ovladačů hradla a odhaduje spínací ztráty.

Jaký vodivý výkon by konstruktéři měli očekávat při zátěži?

Díky maximálnímu specifikovanému odporu mezi odvodem a zdrojem 60 mΩ mohou konstruktéři vypočítat ztráty při vedení pro proudové cesty až do jmenovitého nepřetržitého proudu 25 A.