řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 120 A 100 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 1000 kusech)*

55 134,00 Kč

(bez DPH)

66 712,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 2 000 jednotka(y) budou odesílané od 01. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
1000 +55,134 Kč55 134,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
911-0890
Výrobní číslo:
IPB027N10N3GATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

120A

Maximální napětí na zdroji Vds

100V

Řada

OptiMOS 3

Typ balení

TO-263

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

4.5mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

155nC

Přímé napětí Vf

1V

Maximální ztrátový výkon Pd

300W

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Délka

10.31mm

Normy/schválení

No

Výška

4.57mm

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN

Infineon OptiMOS™3 - výkonové MOSFET, 100 V


Tranzistory MOSFET, Infineon


Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.