AEC-Q, řada: OptiMOS P Výkonový tranzistor IPD50P04P413ATMA1 Typ P-kanálový 50 A 40 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3
- Skladové číslo RS:
- 826-9109
- Výrobní číslo:
- IPD50P04P413ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 25 kusech)*
506,35 Kč
(bez DPH)
612,675 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 2 225 jednotka(y) budou odesílané od 24. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 20,254 Kč | 506,35 Kč |
| 50 - 100 | 15,788 Kč | 394,70 Kč |
| 125 - 225 | 14,78 Kč | 369,50 Kč |
| 250 - 600 | 13,763 Kč | 344,08 Kč |
| 625 + | 12,755 Kč | 318,88 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 826-9109
- Výrobní číslo:
- IPD50P04P413ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | Výkonový tranzistor | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 50A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | OptiMOS P | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 12.6mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 58W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 39nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 2.3mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Délka | 6.5mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu Výkonový tranzistor | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 50A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada OptiMOS P | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 12.6mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 58W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 39nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 2.3mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Délka 6.5mm | ||
Automobilový standard AEC-Q | ||
Nelze použít
Infineon OptiMOS™P-Channel výkonové tranzistory
Výkonové tranzistory MOSFET Infineon OptiMOS ™ P-Channel jsou navrženy tak, aby poskytovaly vylepšené funkce odpovídající kvalitnímu výkonu. Mezi funkce patří mimořádně nízká ztráta spínací úrovně, odolnost proti stavu, hodnocení Avalanche a také kvalifikace AEC pro automobilový průmysl. Aplikace zahrnují stejnosměrné napětí, řízení motoru, automobilový průmysl a elektronickou mobilitu.
Režim rozšíření
Lavinová funkčnost
Nízké spínací a vodičové ztráty výkonu
Pokovování bez olova PB; vyhovuje směrnici RoHS
Standardní balení
Řada P-Channel OptiMOS™: Rozsah teplot od -55 °C do +175 °C.
Tranzistory MOSFET, Infineon
Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.
Související odkazy
- AEC-Q TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q TO-252, počet kolíků: 3
- AEC-Q TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q TO-263, počet kolíků:
- AEC-Q TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: OptiMOS P MOSFET Typ P-kanálový 70 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS P MOSFET IPD042P03L3GATMA1 Typ P-kanálový 70 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový