AEC-Q, řada: OptiMOS P Výkonový tranzistor Typ P-kanálový 120 A 40 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 124-8751
- Výrobní číslo:
- IPB120P04P4L03ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (1 naviják po 1000 kusech)*
22 583,00 Kč
(bez DPH)
27 325,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 3 000 jednotka(y) budou odesílané od 07. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 1000 + | 22,583 Kč | 22 583,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 124-8751
- Výrobní číslo:
- IPB120P04P4L03ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | Výkonový tranzistor | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 120A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | OptiMOS P | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 5.2mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 136W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 16V | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 180nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Šířka | 9.25mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Délka | 10mm | |
| Výška | 4.4mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu Výkonový tranzistor | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 120A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada OptiMOS P | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 5.2mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 136W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 16V | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 180nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Šířka 9.25mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Délka 10mm | ||
Výška 4.4mm | ||
Automobilový standard AEC-Q | ||
Nelze použít
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Infineon OptiMOS™P-Channel výkonové tranzistory
Výkonové tranzistory MOSFET Infineon OptiMOS ™ P-Channel jsou navrženy tak, aby poskytovaly vylepšené funkce odpovídající kvalitnímu výkonu. Mezi funkce patří mimořádně nízká ztráta spínací úrovně, odolnost proti stavu, hodnocení Avalanche a také kvalifikace AEC pro automobilový průmysl. Aplikace zahrnují stejnosměrné napětí, řízení motoru, automobilový průmysl a elektronickou mobilitu.
Režim rozšíření
Lavinová funkčnost
Nízké spínací a vodičové ztráty výkonu
Pokovování bez olova PB; vyhovuje směrnici RoHS
Standardní balení
Řada P-Channel OptiMOS™: Rozsah teplot od -55 °C do +175 °C.
Tranzistory MOSFET, Infineon
Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.