řada: OptiMOS 3 MOSFET IPD034N06N3GATMA1 N-kanálový 100 A 60 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 825-9168
- Výrobní číslo:
- IPD034N06N3GATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Přidejte dalších 50 kusů a ušetřete 98,80 Kč
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
401,87 Kč
(bez DPH)
486,26 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
- 1 680 jednotka(y) budou odesílané od 16. listopadu 2026
Ks | za jednotku | za balení* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 10 - 40 | 40,187 Kč | 401,87 Kč | - |
| 50 - 90 | 38,211 Kč | 382,11 Kč | 98,80 Kč |
| 100 - 240 | 36,556 Kč | 365,56 Kč | 363,10 Kč |
| 250 - 490 | 34,185 Kč | 341,85 Kč | 1 500,50 Kč |
| 500 + | 32,135 Kč | 321,35 Kč | 4 026,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 825-9168
- Výrobní číslo:
- IPD034N06N3GATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 100A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | OptiMOS 3 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3.4mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 167W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20V, +20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 98nC | |
| Přímé napětí Vf | 900mV | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 6.73mm | |
| Výška | 2.413mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 6.22mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 100A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada OptiMOS 3 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3.4mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 167W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 98nC | ||
Přímé napětí Vf 900mV | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 6.73mm | ||
Výška 2.413mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 6.22mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Nelze použít
Infineon OptiMOS™3 - výkonové MOSFET, 60 až 80 V.
Tranzistory MOSFET, Infineon
Související odkazy
- řada: OptiMOS 3 MOSFET N-kanálový 100 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET N-kanálový 80 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET N-kanálový 21 A 150 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 50 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET IPD530N15N3GATMA1 N-kanálový 21 A 150 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET IPD082N10N3GATMA1 N-kanálový 80 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET IPD031N06L3GATMA1 N-kanálový 100 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET IPD50N06S409ATMA2 N-kanálový 50 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
