řada: OptiMOS 3 MOSFET IPD530N15N3GATMA1 Typ N-kanálový 21 A 150 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 214-4381
- Výrobní číslo:
- IPD530N15N3GATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 15 kusech)*
407,805 Kč
(bez DPH)
493,44 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 480 jednotka(y) budou odesílané od 31. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 27,187 Kč | 407,81 Kč |
| 75 - 135 | 25,82 Kč | 387,30 Kč |
| 150 - 360 | 24,733 Kč | 371,00 Kč |
| 375 - 735 | 23,646 Kč | 354,69 Kč |
| 750 + | 22,033 Kč | 330,50 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 214-4381
- Výrobní číslo:
- IPD530N15N3GATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 21A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 150V | |
| Řada | OptiMOS 3 | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 53mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 68W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 8.7nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Šířka | 6.42mm | |
| Délka | 6.65mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 2.35mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 21A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 150V | ||
Řada OptiMOS 3 | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 53mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 68W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 8.7nC | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Šířka 6.42mm | ||
Délka 6.65mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 2.35mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tento MOSFET Infineon OptMOS 3 je ideální pro vysokofrekvenční spínání a synchronní rektifikaci. Je kvalifikován podle JEDEC pro cílovou aplikaci
Je bez obsahu halogenů podle normy IEC61249-2-21
Související odkazy
- řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 21 A 150 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 100 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 80 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET IPD031N06L3GATMA1 Typ N-kanálový 100 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET IPD034N06N3GATMA1 Typ N-kanálový 100 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET IPD082N10N3GATMA1 Typ N-kanálový 80 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET Typ N-kanálový 50 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET IPD50N06S409ATMA2 Typ N-kanálový 50 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení