AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 Výkonový MOSFET DMN65D8LDW-7 Typ N-kanálový 200 mA 60 V, SC-88, počet kolíků: 6 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 822-2602
- Výrobní číslo:
- DMN65D8LDW-7
- Výrobce:
- DiodesZetex
Mezisoučet (1 balení po 100 kusech)*
275,70 Kč
(bez DPH)
333,60 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 3 000 jednotka(y) budou odesílané od 23. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 100 + | 2,757 Kč | 275,70 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 822-2602
- Výrobní číslo:
- DMN65D8LDW-7
- Výrobce:
- DiodesZetex
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | DiodesZetex | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 200mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | SC-88 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 6 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 8Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 0.43nC | |
| Přímé napětí Vf | 0.8V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 400mW | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Izolovaný | |
| Výška | 1mm | |
| Šířka | 1.35mm | |
| Normy/schválení | RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, AEC-Q101, J-STD-020 | |
| Délka | 2.2mm | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka DiodesZetex | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 200mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení SC-88 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 6 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 8Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 0.43nC | ||
Přímé napětí Vf 0.8V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 400mW | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Konfigurace tranzistoru Izolovaný | ||
Výška 1mm | ||
Šířka 1.35mm | ||
Normy/schválení RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, AEC-Q101, J-STD-020 | ||
Délka 2.2mm | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | ||
Dual N-Channel MOSFET, Diode Inc.
Tranzistory MOSFET, Diode Inc.
Související odkazy
- AEC-Q101 AEC-Q100 Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 200 mA 60 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex
- AEC-Q200 AEC-Q101 Výkonový MOSFET DMN3190LDW-7 Typ N-kanálový 1.3 A 30 V počet kolíků: 6 kolíkový
- AEC-Q200 AEC-Q100 MOSFET DMN53D0LDW-7 Typ N-kanálový 360 mA 50 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex
- AEC-Q200 AEC-Q101 MOSFET DMC2004DWK-7 Typ P SC-88, počet kolíků: 6 kolíkový
- AEC-Q200 AEC-Q101 MOSFET DMG1016UDW-7 Typ P SC-88, počet kolíků: 6 kolíkový
- AEC-Q100 AEC-Q101 MOSFET 2N7002DW-7-F Typ N-kanálový 115 mA 60 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex
- AEC-Q200 AEC-Q101 Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 1.3 A 30 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex
- AEC-Q200 AEC-Q101 MOSFET Typ P SC-88, počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex