AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 MOSFET Typ N-kanálový 360 mA 50 V, SC-88, počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 1
- Skladové číslo RS:
- 146-0595
- Výrobní číslo:
- DMN53D0LDW-7
- Výrobce:
- DiodesZetex
Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*
3 114,00 Kč
(bez DPH)
3 768,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 09. března 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 3000 + | 1,038 Kč | 3 114,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 146-0595
- Výrobní číslo:
- DMN53D0LDW-7
- Výrobce:
- DiodesZetex
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | DiodesZetex | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 360mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 50V | |
| Typ balení | SC-88 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 6 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4.5Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 310mW | |
| Přímé napětí Vf | 0.8V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Šířka | 1.35mm | |
| Normy/schválení | J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202, RoHS | |
| Výška | 1mm | |
| Délka | 2.2mm | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Automobilový standard | AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka DiodesZetex | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 360mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 50V | ||
Typ balení SC-88 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 6 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4.5Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 310mW | ||
Přímé napětí Vf 0.8V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Šířka 1.35mm | ||
Normy/schválení J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202, RoHS | ||
Výška 1mm | ||
Délka 2.2mm | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Automobilový standard AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
N-Channel MOSFET, 40 V až 90 V, Diody Inc
Tranzistory MOSFET, Diode Inc.
Související odkazy
- AEC-Q200 AEC-Q100 MOSFET DMN53D0LDW-7 Typ N-kanálový 360 mA 50 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex
- AEC-Q100 AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 115 mA 60 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2
- AEC-Q200 AEC-Q101 Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 1.3 A 30 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex
- AEC-Q101 AEC-Q100 Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 200 mA 60 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex
- AEC-Q100 AEC-Q101 MOSFET 2N7002DW-7-F Typ N-kanálový 115 mA 60 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex
- AEC-Q200 AEC-Q101 MOSFET Typ P SC-88, počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex
- AEC-Q200 AEC-Q101 MOSFET Typ P SC-88, počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex
- AEC-Q101 Výkonový MOSFET DMN63D8LDW-7 Typ N-kanálový 260 mA 30 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení