AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 MOSFET N-kanálový 360 mA 50 V, SC-88, počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 1

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Momentálně nedostupné
Litujeme, nevíme, kdy tato položka bude opět skladem.
Skladové číslo RS:
146-0595
Výrobní číslo:
DMN53D0LDW-7
Výrobce:
DiodesZetex
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

DiodesZetex

Typ kanálu

N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

360mA

Maximální napětí na zdroji Vds

50V

Typ balení

SC-88

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

6

Maximální odpor zdroje Rds

4.5Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

0.6nC

Maximální ztrátový výkon Pd

310mW

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

0.8V

Maximální napětí zdroje brány Vgs

-20V, +20V

Konfigurace tranzistoru

Jednoduchý

Maximální provozní teplota

+150°C

Výška

1mm

Délka

2.2mm

Normy/schválení

J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202, RoHS

Šířka

1.35mm

Počet prvků na čip

1

Automobilový standard

AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

Země původu (Country of Origin):
CN

N-Channel MOSFET, 40 V až 90 V, Diody Inc


Tranzistory MOSFET, Diode Inc.


Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.