AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 MOSFET Typ P, Typ N-kanálový 540 mA 20 V, SC-88, počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex
- Skladové číslo RS:
- 166-0586
- Výrobní číslo:
- DMC2004DWK-7
- Výrobce:
- DiodesZetex
Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*
10 029,00 Kč
(bez DPH)
12 135,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 9 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 3000 + | 3,343 Kč | 10 029,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 166-0586
- Výrobní číslo:
- DMC2004DWK-7
- Výrobce:
- DiodesZetex
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | DiodesZetex | |
| Typ kanálu | Typ P, Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 540mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Typ balení | SC-88 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 6 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 900mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -65°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 250mW | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 8, -8V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Konfigurace tranzistoru | Izolovaný | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 1mm | |
| Délka | 2.2mm | |
| Normy/schválení | AEC-Q101, MIL-STD-202, RoHS, J-STD-020, UL 94V-0 | |
| Šířka | 1.35mm | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka DiodesZetex | ||
Typ kanálu Typ P, Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 540mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Typ balení SC-88 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 6 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 900mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -65°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 250mW | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 8, -8V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Konfigurace tranzistoru Izolovaný | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 1mm | ||
Délka 2.2mm | ||
Normy/schválení AEC-Q101, MIL-STD-202, RoHS, J-STD-020, UL 94V-0 | ||
Šířka 1.35mm | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
Tranzistory MOSFET, Diode Inc.
Související odkazy
- AEC-Q200 AEC-Q101 MOSFET DMC2004DWK-7 Typ P SC-88, počet kolíků: 6 kolíkový
- AEC-Q200 AEC-Q101 MOSFET Typ P SC-88, počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex
- AEC-Q200 AEC-Q101 Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 1.3 A 30 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex
- AEC-Q200 AEC-Q100 MOSFET DMN53D0LDW-7 Typ N-kanálový 360 mA 50 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex
- AEC-Q101 AEC-Q100 Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 200 mA 60 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex
- AEC-Q100 AEC-Q101 MOSFET 2N7002DW-7-F Typ N-kanálový 115 mA 60 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex
- AEC-Q200 AEC-Q100 MOSFET Typ N-kanálový 360 mA 50 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 1
- AEC-Q100 AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 115 mA 60 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2