AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 MOSFET 2N7002DW-7-F N-kanálový 115 mA 60 V, SC-88, počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex
- Skladové číslo RS:
- 708-2529
- Výrobní číslo:
- 2N7002DW-7-F
- Výrobce:
- DiodesZetex
Mezisoučet (1 balení po 25 kusech)*
144,75 Kč
(bez DPH)
175,25 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 75 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 328 400 jednotka(y) budou odesílané od 06. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 25 + | 5,79 Kč | 144,75 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 708-2529
- Výrobní číslo:
- 2N7002DW-7-F
- Výrobce:
- DiodesZetex
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | DiodesZetex | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 115mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | SC-88 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 6 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 13.5Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 200mW | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 780mV | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20V, +20V | |
| Konfigurace tranzistoru | Izolovaný | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 1.35mm | |
| Normy/schválení | UL 94V-0, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101 Standards, J-STD-020C | |
| Výška | 1mm | |
| Délka | 2.2mm | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka DiodesZetex | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 115mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení SC-88 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 6 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 13.5Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 200mW | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 780mV | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V | ||
Konfigurace tranzistoru Izolovaný | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 1.35mm | ||
Normy/schválení UL 94V-0, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101 Standards, J-STD-020C | ||
Výška 1mm | ||
Délka 2.2mm | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | ||
Dual N-Channel MOSFET, Diode Inc.
Tranzistory MOSFET, Diode Inc.
Související odkazy
- AEC-Q100 AEC-Q101 MOSFET N-kanálový 115 mA 60 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2
- AEC-Q200 AEC-Q100 MOSFET DMN53D0LDW-7 N-kanálový 360 mA 50 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex
- AEC-Q200 AEC-Q100 MOSFET N-kanálový 360 mA 50 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 1
- AEC-Q200 AEC-Q101 MOSFET Typ P SC-88, počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex
- AEC-Q200 AEC-Q101 MOSFET Typ P SC-88, počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex
- AEC-Q200 AEC-Q101 SC-70, počet kolíků: 3
- AEC-Q200 AEC-Q101 SC-70, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 AEC-Q200 Malý signál N-kanálový 200 mA 50 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2