MPN

AEC-Q101 Výkonový MOSFET DMN63D8LDW-7 N-kanálový 260 mA 30 V, SC-88, počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2

Skladové číslo RS:: 822-2598
Výrobní číslo:: DMN63D8LDW-7
Výrobce:: DiodesZetex

AEC-Q101 Výkonový MOSFET DMN63D8LDW-7 N-kanálový 260 mA 30 V, SC-88, počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2

Využijte množstevní slevu

Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (100 jednotky/-ek, v balení po 100 ks)*

171,20 Kč

(bez DPH)

207,20 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 16. února 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za balení*
100 - 400	1,712 Kč	171,20 Kč
500 - 900	1,536 Kč	153,60 Kč
1000 - 1400	1,119 Kč	111,90 Kč
1500 - 2900	0,981 Kč	98,10 Kč
3000 +	0,899 Kč	89,90 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 822-2598
Výrobní číslo:: DMN63D8LDW-7
Výrobce:: DiodesZetex

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	DiodesZetex
	Typ kanálu	N
	Typ produktu	Výkonový MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	260mA
	Maximální napětí na zdroji Vds	30V
	Typ balení	SC-88
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	6
	Maximální odpor zdroje Rds	13Ω
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd	400mW
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	0.4nC
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	-20V, +20V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Přímé napětí Vf	0.8V
	Konfigurace tranzistoru	Izolovaný
	Maximální provozní teplota	+150°C
	Šířka	1.35mm
	Výška	1mm
	Normy/schválení	UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101
	Délka	2.2mm
	Počet prvků na čip	2
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka DiodesZetex
	Typ kanálu N
	Typ produktu Výkonový MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 260mA
	Maximální napětí na zdroji Vds 30V
	Typ balení SC-88
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 6
	Maximální odpor zdroje Rds 13Ω
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd 400mW
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 0.4nC
	Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Přímé napětí Vf 0.8V
	Konfigurace tranzistoru Izolovaný
	Maximální provozní teplota +150°C
	Šířka 1.35mm
	Výška 1mm
	Normy/schválení UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101
	Délka 2.2mm
	Počet prvků na čip 2
	Automobilový standard AEC-Q101

Dual N-Channel MOSFET, Diode Inc.

Tranzistory MOSFET, Diode Inc.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.