MPN

AEC-Q101 Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 260 mA 30 V, SOT-563, počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Izolovaný

Skladové číslo RS:: 122-2883
Výrobní číslo:: DMN63D8LV-7
Výrobce:: DiodesZetex

AEC-Q101 Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 260 mA 30 V, SOT-563, počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Izolovaný

Využijte množstevní slevu

Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*

2 745,00 Kč

(bez DPH)

3 321,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 11. prosince 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
3000 - 12000	0,915 Kč	2 745,00 Kč
15000 - 27000	0,89 Kč	2 670,00 Kč
30000 - 72000	0,866 Kč	2 598,00 Kč
75000 - 147000	0,844 Kč	2 532,00 Kč
150000 +	0,823 Kč	2 469,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 122-2883
Výrobní číslo:: DMN63D8LV-7
Výrobce:: DiodesZetex

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	DiodesZetex
	Typ produktu	Výkonový MOSFET
	Typ kanálu	Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	260mA
	Maximální napětí na zdroji Vds	30V
	Typ balení	SOT-563
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	6
	Maximální odpor zdroje Rds	13Ω
	Režim kanálu	Vylepšení
	Přímé napětí Vf	0.8V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	0.4nC
	Minimální provozní teplota	150°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	450mW
	Konfigurace tranzistoru	Izolovaný
	Maximální provozní teplota	-55°C
	Normy/schválení	UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS
	Délka	1.7mm
	Výška	0.6mm
	Počet prvků na čip	2
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka DiodesZetex
	Typ produktu Výkonový MOSFET
	Typ kanálu Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 260mA
	Maximální napětí na zdroji Vds 30V
	Typ balení SOT-563
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 6
	Maximální odpor zdroje Rds 13Ω
	Režim kanálu Vylepšení
	Přímé napětí Vf 0.8V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 0.4nC
	Minimální provozní teplota 150°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 450mW
	Konfigurace tranzistoru Izolovaný
	Maximální provozní teplota -55°C
	Normy/schválení UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS
	Délka 1.7mm
	Výška 0.6mm
	Počet prvků na čip 2
	Automobilový standard AEC-Q101

Země původu (Country of Origin):: CN

Dual N-Channel MOSFET, Diode Inc.

Tranzistory MOSFET, Diode Inc.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.