AEC-Q101 MOSFET DMG1024UV-7 Typ N-kanálový 1.38 A 20 V, SOT-563, počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2
- Skladové číslo RS:
- 822-2510
- Výrobní číslo:
- DMG1024UV-7
- Výrobce:
- DiodesZetex
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 50 kusech)*
236,60 Kč
(bez DPH)
286,30 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 650 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 50 - 550 | 4,732 Kč | 236,60 Kč |
| 600 - 1450 | 2,574 Kč | 128,70 Kč |
| 1500 + | 1,936 Kč | 96,80 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 822-2510
- Výrobní číslo:
- DMG1024UV-7
- Výrobce:
- DiodesZetex
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | DiodesZetex | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 1.38A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Typ balení | SOT-563 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 6 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 10Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | 150°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 736.6nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 530mW | |
| Přímé napětí Vf | 0.7V | |
| Maximální provozní teplota | -55°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Izolovaný | |
| Výška | 0.6mm | |
| Normy/schválení | AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, J-STD-020 | |
| Délka | 1.7mm | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka DiodesZetex | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 1.38A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Typ balení SOT-563 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 6 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 10Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota 150°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 736.6nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 530mW | ||
Přímé napětí Vf 0.7V | ||
Maximální provozní teplota -55°C | ||
Konfigurace tranzistoru Izolovaný | ||
Výška 0.6mm | ||
Normy/schválení AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, J-STD-020 | ||
Délka 1.7mm | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Dual N-Channel MOSFET, Diode Inc.
Tranzistory MOSFET, Diode Inc.
Související odkazy
- AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 1.38 A 20 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Izolovaný
- AEC-Q101 Výkonový MOSFET 2N7002VC-7 Typ N-kanálový 280 mA 60 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení
- AEC-Q101 Výkonový MOSFET DMN63D8LV-7 Typ N-kanálový 260 mA 30 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-563, počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 1
- AEC-Q101 Malý signál DMN2400UV-7 Typ N-kanálový 1.33 A 20 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2
- AEC-Q101 Malý signál Typ N-kanálový 1.33 A 20 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Izolovaný
- AEC-Q101 Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 260 mA 30 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Izolovaný
- AEC-Q101 Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 280 mA 60 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Izolovaný