MOSFET 2N7002V Typ N-kanálový 280 mA 60 V, SOT-563, počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- Skladové číslo RS:
- 805-1141
- Výrobní číslo:
- 2N7002V
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 50 kusech)*
441,65 Kč
(bez DPH)
534,40 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 2 500 jednotka(y) budou odesílané od 31. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | 8,833 Kč | 441,65 Kč |
| 500 - 950 | 7,613 Kč | 380,65 Kč |
| 1000 + | 6,605 Kč | 330,25 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 805-1141
- Výrobní číslo:
- 2N7002V
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 280mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | SOT-563 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 6 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 13.5Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 250mW | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Izolovaný | |
| Výška | 0.6mm | |
| Šířka | 1.2mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 1.7mm | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 280mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení SOT-563 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 6 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 13.5Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 250mW | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Konfigurace tranzistoru Izolovaný | ||
Výška 0.6mm | ||
Šířka 1.2mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 1.7mm | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard Ne | ||
Rozšiřující režim Dual MOSFET Fairchild Semiconductor
Zdokonalené režimy tranzistory Field Effect jsou vyráběny pomocí patentované technologie DMOS (Fairchild's proprieed, high cell density). Tento proces s velmi vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu, poskytoval robustní a spolehlivý výkon a rychlé přepínání.
Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi
U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.
U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.
Související odkazy
- MOSFET Typ N-kanálový 280 mA 60 V počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- AEC-Q101 Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 280 mA 60 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Izolovaný
- Malý signál Typ P-kanálový 430 mA 20 V počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- Malý signál NTZD3152PT1G Typ P-kanálový 430 mA 20 V počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- Malý signál Typ N-kanálový 280 mA 20 V počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- Malý signál NTUD3170NZT5G Typ N-kanálový 280 mA 20 V počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- onsemi Tranzistor -100 mA PnP -30 V počet kolíků: 6 kolíkový Izolovaný
- onsemi Tranzistor NST30010MXV6T1G -100 mA PnP -30 V počet kolíků: 6 kolíkový Izolovaný