MPN

AEC-Q101 MOSFET DMN2016UTS-13 Typ N-kanálový 8.6 A 20 V, TSSOP, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2

Skladové číslo RS:: 822-2542
Výrobní číslo:: DMN2016UTS-13
Výrobce:: DiodesZetex

AEC-Q101 MOSFET DMN2016UTS-13 Typ N-kanálový 8.6 A 20 V, TSSOP, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2

Využijte množstevní slevu

Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 20 kusech)*

225,42 Kč

(bez DPH)

272,76 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 16. prosince 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za balení*
20 - 100	11,271 Kč	225,42 Kč
120 - 600	6,879 Kč	137,58 Kč
620 +	6,521 Kč	130,42 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 822-2542
Výrobní číslo:: DMN2016UTS-13
Výrobce:: DiodesZetex

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	DiodesZetex
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	8.6A
	Maximální napětí na zdroji Vds	20V
	Typ balení	TSSOP
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	16.5mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	16.5nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	880mW
	Přímé napětí Vf	0.65V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	8V
	Konfigurace tranzistoru	Izolovaný
	Maximální provozní teplota	150°C
	Délka	4.5mm
	Výška	1.025mm
	Normy/schválení	J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101
	Šířka	3.1mm
	Počet prvků na čip	2
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka DiodesZetex
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 8.6A
	Maximální napětí na zdroji Vds 20V
	Typ balení TSSOP
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 16.5mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 16.5nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 880mW
	Přímé napětí Vf 0.65V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 8V
	Konfigurace tranzistoru Izolovaný
	Maximální provozní teplota 150°C
	Délka 4.5mm
	Výška 1.025mm
	Normy/schválení J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101
	Šířka 3.1mm
	Počet prvků na čip 2
	Automobilový standard AEC-Q101

Dual N-Channel MOSFET, Diode Inc.

Tranzistory MOSFET, Diode Inc.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.