MOSFET DMC4040SSD-13 Typ P, Typ N-kanálový 7.5 A 40 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Izolovaný
- Skladové číslo RS:
- 823-3208
- Výrobní číslo:
- DMC4040SSD-13
- Výrobce:
- DiodesZetex
Mezisoučet (10 jednotky/-ek, v balení po 10 ks)*
213,41 Kč
(bez DPH)
258,23 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 14. ledna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 + | 21,341 Kč | 213,41 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 823-3208
- Výrobní číslo:
- DMC4040SSD-13
- Výrobce:
- DiodesZetex
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | DiodesZetex | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P, Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 7.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Typ balení | SOIC | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 45mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20V, +20V | |
| Přímé napětí Vf | -0.7V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2.14W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 14nC | |
| Maximální provozní teplota | +150°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Izolovaný | |
| Šířka | 3.95mm | |
| Délka | 4.95mm | |
| Výška | 1.5mm | |
| Normy/schválení | J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101 | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka DiodesZetex | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P, Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 7.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Typ balení SOIC | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 45mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V | ||
Přímé napětí Vf -0.7V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2.14W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 14nC | ||
Maximální provozní teplota +150°C | ||
Konfigurace tranzistoru Izolovaný | ||
Šířka 3.95mm | ||
Délka 4.95mm | ||
Výška 1.5mm | ||
Normy/schválení J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101 | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard Ne | ||
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
Tranzistory MOSFET, Diode Inc.
Související odkazy
- MOSFET Typ P SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Izolovaný
- AEC-Q101 Výkonový MOSFET N-kanálový 7.5 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Izolovaný
- AEC-Q101 Výkonový MOSFET DMG4800LSD-13 Typ N-kanálový 7.5 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2
- MOSFET ZXMP3A16DN8TA Typ P-kanálový 5.5 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Izolovaný
- Výkonový MOSFET Typ P SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Izolovaný
- Výkonový MOSFET Typ P-kanálový 3.1 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Izolovaný
- AEC-Q101 MOSFET Typ P SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Izolovaný
- AEC-Q101 MOSFET Typ N SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Izolovaný