MOSFET ZXMP3A16DN8TA Typ P-kanálový 5.5 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Izolovaný
- Skladové číslo RS:
- 708-2466
- Výrobní číslo:
- ZXMP3A16DN8TA
- Výrobce:
- DiodesZetex
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
183,77 Kč
(bez DPH)
222,36 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 11. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 36,754 Kč | 183,77 Kč |
| 25 - 45 | 31,024 Kč | 155,12 Kč |
| 50 - 245 | 29,442 Kč | 147,21 Kč |
| 250 - 495 | 24,256 Kč | 121,28 Kč |
| 500 + | 21,34 Kč | 106,70 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 708-2466
- Výrobní číslo:
- ZXMP3A16DN8TA
- Výrobce:
- DiodesZetex
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | DiodesZetex | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 5.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | SOIC | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2.1W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Konfigurace tranzistoru | Izolovaný | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 1.5mm | |
| Šířka | 4mm | |
| Délka | 5mm | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka DiodesZetex | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 5.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení SOIC | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2.1W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Konfigurace tranzistoru Izolovaný | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 1.5mm | ||
Šířka 4mm | ||
Délka 5mm | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Dual P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
Tranzistory MOSFET, Diode Inc.
Související odkazy
- MOSFET ZXMP3A16DN8TA Typ P-kanálový 5.5 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Izolovaný
- Výkonový MOSFET Typ P-kanálový 3.1 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Izolovaný
- MOSFET Typ P SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Izolovaný
- Výkonový MOSFET Typ P SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Izolovaný
- AEC-Q101 Výkonový MOSFET Typ P-kanálový 4.8 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Izolovaný
- MOSFET DMC4040SSD-13 Typ P SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Izolovaný
- AEC-Q101 MOSFET Typ N SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Izolovaný
- AEC-Q101 MOSFET Typ P SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Izolovaný