AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 8.6 A 20 V, TSSOP, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Izolovaný
- Skladové číslo RS:
- 122-2875
- Výrobní číslo:
- DMN2016UTS-13
- Výrobce:
- DiodesZetex
Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*
11 145,00 Kč
(bez DPH)
13 485,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 16. prosince 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 2500 + | 4,458 Kč | 11 145,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 122-2875
- Výrobní číslo:
- DMN2016UTS-13
- Výrobce:
- DiodesZetex
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | DiodesZetex | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 8.6A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Typ balení | TSSOP | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 16.5mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 16.5nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 0.65V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 8V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 880mW | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Izolovaný | |
| Výška | 1.025mm | |
| Délka | 4.5mm | |
| Normy/schválení | J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101 | |
| Šířka | 3.1mm | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka DiodesZetex | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 8.6A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Typ balení TSSOP | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 16.5mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 16.5nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 0.65V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 8V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 880mW | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Konfigurace tranzistoru Izolovaný | ||
Výška 1.025mm | ||
Délka 4.5mm | ||
Normy/schválení J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101 | ||
Šířka 3.1mm | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Dual N-Channel MOSFET, Diode Inc.
Tranzistory MOSFET, Diode Inc.
Související odkazy
- AEC-Q101 MOSFET DMN2016UTS-13 Typ N-kanálový 8.6 A 20 V počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 2 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TSSOP, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TSSOP, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TSSOP, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 Výkonový MOSFET Typ P-kanálový 5.8 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Izolovaný
- AEC-Q101 Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 7.5 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Izolovaný