řada: StrongIRFET MOSFET IRFS7534TRLPBF N-kanálový 195 A 60 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 820-8873
- Výrobní číslo:
- IRFS7534TRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
136,34 Kč
(bez DPH)
164,98 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 736 jednotka(y) budou odesílané od 21. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 68,17 Kč | 136,34 Kč |
| 20 - 48 | 62,74 Kč | 125,48 Kč |
| 50 - 98 | 58,785 Kč | 117,57 Kč |
| 100 - 198 | 54,585 Kč | 109,17 Kč |
| 200 + | 50,39 Kč | 100,78 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 820-8873
- Výrobní číslo:
- IRFS7534TRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 195A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | StrongIRFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2.4mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 186nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 294W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 10.67mm | |
| Výška | 4.83mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 9.65mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 195A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada StrongIRFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2.4mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 186nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 294W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 10.67mm | ||
Výška 4.83mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 9.65mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
MOSFETy řady Infineon StrongIRFET, maximální trvalý proud 195 A, maximální ztrátový výkon 294 W - IRFS7534TRLPBF
Tento tranzistor MOSFET je navržen pro efektivní řízení spotřeby v řadě elektronických aplikací. Díky schopnosti zvládnout trvalý odtokový proud až 195 A a jmenovitému napětí na zdroji 60 V poskytuje efektivní výkon pro různé úlohy. Její možnosti v konfiguracích pro povrchovou montáž zvyšují účinnost a spolehlivost obvodů pro profesionály v oblasti automatizace a elektroniky.
Vlastnosti a výhody
• Vysoká proudová kapacita podporuje náročné zatížení
• Nízká hodnota Rds(on) 2,4 mΩ zvyšuje energetickou účinnost
• Navrženo pro provoz při vysokých teplotách až do +175 °C
• Robustní lavinová a dynamická odolnost dV/dt pro spolehlivý provoz
• Plně charakterizovaná kapacita usnadňuje přesný spínací výkon
Aplikace
• Vhodné pro obvody pohonů kartáčovaných motorů a motorů BLDC
• Účinné pro bateriové napájení a výkonové měniče
• Použitelné v polomůstkových a celomůstkových topologiích pro různé konstrukce
• Použitelné v měničích DC/AC a napájecích zdrojích s rezonančním režimem
• Ideální pro redundantní napájecí spínače v kritických systémech
Jak se tato součást stará o tepelnou správu?
Efektivně pracuje ve vysokých teplotních podmínkách s maximální teplotou +175 °C.
Jaké jsou důsledky nízké hodnoty Rds(on)?
Nízký zapínací odpor minimalizuje ztráty při vedení, což vede ke zvýšení účinnosti distribuce energie.
Lze jej použít v aplikacích s proměnlivým zatížením?
Ano, díky své vysoké proudové kapacitě a robustním vlastnostem je schopen účinně zvládat kolísavé zatížení.
Jaký typ montáže se doporučuje pro optimální výkon?
Technologie povrchové montáže je navržena pro efektivní odvod tepla a kompaktní integraci.
Jak se chová v pulzních podmínkách?
Je schopen bezpečně zvládat pulzní proudy až do 944 A, což zajišťuje flexibilitu pro přechodné situace bez poruchy.
Související odkazy
- řada: StrongIRFET MOSFET N-kanálový 195 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: StrongIRFET MOSFET N-kanálový 195 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: StrongIRFET MOSFET N-kanálový 195 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: StrongIRFET MOSFET N-kanálový 195 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: StrongIRFET MOSFET N-kanálový 195 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: StrongIRFET MOSFET IRFB7430PBF N-kanálový 195 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: StrongIRFET MOSFET IRFP7430PBF N-kanálový 195 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: StrongIRFET MOSFET IRFP7530PBF N-kanálový 195 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení