řada: StrongIRFET MOSFET IRFB7530PBF N-kanálový 195 A 60 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 820-8833
- Výrobní číslo:
- IRFB7530PBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
191,43 Kč
(bez DPH)
231,63 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Výroba končí
- Posledních 846 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 95,715 Kč | 191,43 Kč |
| 20 - 48 | 85,34 Kč | 170,68 Kč |
| 50 - 98 | 80,52 Kč | 161,04 Kč |
| 100 - 198 | 74,84 Kč | 149,68 Kč |
| 200 + | 68,915 Kč | 137,83 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 820-8833
- Výrobní číslo:
- IRFB7530PBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 195A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | StrongIRFET | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 274nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 375W | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Šířka | 4.83mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 10.67mm | |
| Výška | 16.51mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 195A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada StrongIRFET | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 274nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 375W | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Šířka 4.83mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 10.67mm | ||
Výška 16.51mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFETy řady Infineon StrongIRFET, maximální trvalý proud 195 A, maximální ztrátový výkon 375 W - IRFB7530PBF
Tento vysokoproudový N-kanálový tranzistor MOSFET je navržen pro řadu výkonových aplikací. Jeho pokročilá konstrukce umožňuje efektivní spínání a pozoruhodný výkon v náročných podmínkách, takže je vhodný pro odvětví automatizace a elektroniky, kde je pro efektivní fungování elektrických obvodů nezbytná spolehlivost a robustnost.
Vlastnosti a výhody
• Maximální trvalý odtokový proud 195 A
• Široký rozsah provozních teplot od -55 °C do +175 °C
• Zvýšená odolnost díky robustní lavinové a dynamické odolnosti dV/dt
• Plně charakterizovaná kapacita a lavinová SOA
• Neobsahuje olovo a splňuje předpisy RoHS pro bezpečnost životního prostředí
Aplikace
• Používá se v pohonech s kartáčovaným motorem
• Vhodné pro topologie s polovičním a plným můstkem
• Vhodné pro synchronní usměrňovač
• Ideální pro obvody napájené z baterií a DC/DC měniče
• Zabývá se systémy střídavého a stejnosměrného proudu a střídači DC/AC
Jaké je maximální prahové napětí hradla pro tuto součástku?
Maximální prahové napětí hradla je 3,7 V, což usnadňuje efektivní provoz v různých konfiguracích řízení hradla.
Může tento MOSFET pracovat v prostředí s vysokými teplotami?
Ano, účinně funguje v teplotním rozsahu od -55 °C do +175 °C, takže je vhodný do náročných podmínek.
Jak si tento tranzistor MOSFET vede z hlediska ztrátového výkonu?
Umožňuje maximální příkon 375 W, což zajišťuje spolehlivý výkon při značném zatížení.
Je vhodný pro použití ve stejnosměrných i střídavých aplikacích?
Tato součástka je navržena pro všestranné použití a poskytuje efektivní výkon jak v aplikacích DC/DC, tak i AC/DC konverze napájení.
Jaké důsledky má jeho nízké RDS(on) pro návrh obvodů?
Nízké RDS(on) minimalizuje ztráty vedením, čímž zvyšuje celkovou účinnost systému a umožňuje menší chladiče a lepší tepelný výkon při návrhu obvodů.
Související odkazy
- řada: StrongIRFET MOSFET N-kanálový 195 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: StrongIRFET MOSFET N-kanálový 195 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: StrongIRFET MOSFET IRFB7430PBF N-kanálový 195 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: StrongIRFET MOSFET N-kanálový 195 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: StrongIRFET MOSFET N-kanálový 195 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: StrongIRFET MOSFET N-kanálový 195 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: StrongIRFET MOSFET IRFP7430PBF N-kanálový 195 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: StrongIRFET MOSFET IRFS7534TRLPBF N-kanálový 195 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení