řada: StrongIRFET MOSFET Typ N-kanálový 195 A 60 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*

2 015,50 Kč

(bez DPH)

2 439,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Poslední zásoby RS
  • Posledních 800 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa

Ks
za jednotku
za tubu*
50 - 5040,31 Kč2 015,50 Kč
100 - 20035,356 Kč1 767,80 Kč
250 +34,466 Kč1 723,30 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
145-9657
Výrobní číslo:
IRFB7530PBF
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

195A

Maximální napětí na zdroji Vds

60V

Typ balení

TO-220

Řada

StrongIRFET

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

2mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

375W

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

274nC

Přímé napětí Vf

1.2V

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

No

Délka

10.67mm

Výška

16.51mm

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
MX

MOSFETy řady Infineon StrongIRFET, maximální trvalý proud 195 A, maximální ztrátový výkon 375 W - IRFB7530PBF


Tento vysokoproudový N-kanálový tranzistor MOSFET je navržen pro řadu výkonových aplikací. Jeho pokročilá konstrukce umožňuje efektivní spínání a pozoruhodný výkon v náročných podmínkách, takže je vhodný pro odvětví automatizace a elektroniky, kde je pro efektivní fungování elektrických obvodů nezbytná spolehlivost a robustnost.

Vlastnosti a výhody


• Maximální trvalý odtokový proud 195 A

• Široký rozsah provozních teplot od -55 °C do +175 °C

• Zvýšená odolnost díky robustní lavinové a dynamické odolnosti dV/dt

• Plně charakterizovaná kapacita a lavinová SOA

• Neobsahuje olovo a splňuje předpisy RoHS pro bezpečnost životního prostředí

Aplikace


• Používá se v pohonech s kartáčovaným motorem

• Vhodné pro topologie s polovičním a plným můstkem

• Vhodné pro synchronní usměrňovač

• Ideální pro obvody napájené z baterií a DC/DC měniče

• Zabývá se systémy střídavého a stejnosměrného proudu a střídači DC/AC

Jaké je maximální prahové napětí hradla pro tuto součástku?


Maximální prahové napětí hradla je 3,7 V, což usnadňuje efektivní provoz v různých konfiguracích řízení hradla.

Může tento MOSFET pracovat v prostředí s vysokými teplotami?


Ano, účinně funguje v teplotním rozsahu od -55 °C do +175 °C, takže je vhodný do náročných podmínek.

Jak si tento tranzistor MOSFET vede z hlediska ztrátového výkonu?


Umožňuje maximální příkon 375 W, což zajišťuje spolehlivý výkon při značném zatížení.

Je vhodný pro použití ve stejnosměrných i střídavých aplikacích?


Tato součástka je navržena pro všestranné použití a poskytuje efektivní výkon jak v aplikacích DC/DC, tak i AC/DC konverze napájení.

Jaké důsledky má jeho nízké RDS(on) pro návrh obvodů?


Nízké RDS(on) minimalizuje ztráty vedením, čímž zvyšuje celkovou účinnost systému a umožňuje menší chladiče a lepší tepelný výkon při návrhu obvodů.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.