MPN

řada: UniFETMOSFET FDA28N50F N-kanálový 28 A 500 V, TO-3PN, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů

Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	onsemi
	Typ kanálu	N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud	28 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj	500 V
	Řada	UniFET
	Typ balení	TO-3PN
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor kolektor/zdroj	175 mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody	3V
	Maximální ztrátový výkon	310 W
	Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-30 V, +30 V
	Maximální pracovní teplota	+150 °C
	Délka	15.8mm
	Materiál tranzistoru	Si
	Šířka	5mm
	Počet prvků na čip	1
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	80 nC při 10 V
	Výška	20.1mm
	Minimální provozní teplota	-55 °C

	Vybrat vše
	Značka onsemi
	Typ kanálu N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud 28 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj 500 V
	Řada UniFET
	Typ balení TO-3PN
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor kolektor/zdroj 175 mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody 3V
	Maximální ztrátový výkon 310 W
	Konfigurace tranzistoru Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -30 V, +30 V
	Maximální pracovní teplota +150 °C
	Délka 15.8mm
	Materiál tranzistoru Si
	Šířka 5mm
	Počet prvků na čip 1
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 80 nC při 10 V
	Výška 20.1mm
	Minimální provozní teplota -55 °C

Související odkazy

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.