MPN

řada: HiperFET, Polar3MOSFET IXFQ34N50P3 N-kanálový 34 A 500 V, TO-3PN, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů

Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	IXYS
	Typ kanálu	N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud	34 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj	500 V
	Typ balení	TO-3PN
	Řada	HiperFET, Polar3
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor kolektor/zdroj	175 mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody	5V
	Maximální ztrátový výkon	695 W
	Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-30 V, +30 V
	Délka	15.8mm
	Materiál tranzistoru	Si
	Šířka	4.9mm
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	60 nC při 10 V
	Maximální pracovní teplota	+150 °C
	Počet prvků na čip	1
	Minimální provozní teplota	-55 °C
	Výška	20.3mm

	Vybrat vše
	Značka IXYS
	Typ kanálu N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud 34 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj 500 V
	Typ balení TO-3PN
	Řada HiperFET, Polar3
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor kolektor/zdroj 175 mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody 5V
	Maximální ztrátový výkon 695 W
	Konfigurace tranzistoru Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -30 V, +30 V
	Délka 15.8mm
	Materiál tranzistoru Si
	Šířka 4.9mm
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 60 nC při 10 V
	Maximální pracovní teplota +150 °C
	Počet prvků na čip 1
	Minimální provozní teplota -55 °C
	Výška 20.3mm

Související odkazy

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.