MPN

řada: HiperFET, Polar3MOSFET IXFN132N50P3 N-kanálový 112 A 500 V, SOT-227, počet kolíků: 4 Jednoduchý Si

Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů

Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	IXYS
	Typ kanálu	N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud	112 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj	500 V
	Řada	HiperFET, Polar3
	Typ balení	SOT-227
	Typ montáže	Upevnění šroubem
	Počet kolíků	4
	Maximální odpor kolektor/zdroj	39 mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody	5V
	Maximální ztrátový výkon	1,5 kW
	Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-30 V, +30 V
	Materiál tranzistoru	Si
	Počet prvků na čip	1
	Maximální pracovní teplota	+150 °C
	Šířka	25.07mm
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	250 nC při 10 V
	Délka	38.23mm
	Výška	9.6mm
	Minimální provozní teplota	-55 °C

	Vybrat vše
	Značka IXYS
	Typ kanálu N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud 112 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj 500 V
	Řada HiperFET, Polar3
	Typ balení SOT-227
	Typ montáže Upevnění šroubem
	Počet kolíků 4
	Maximální odpor kolektor/zdroj 39 mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody 5V
	Maximální ztrátový výkon 1,5 kW
	Konfigurace tranzistoru Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -30 V, +30 V
	Materiál tranzistoru Si
	Počet prvků na čip 1
	Maximální pracovní teplota +150 °C
	Šířka 25.07mm
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 250 nC při 10 V
	Délka 38.23mm
	Výška 9.6mm
	Minimální provozní teplota -55 °C

Související odkazy

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.