řada: QFET MOSFET FQD3P50TM Typ P-kanálový 1.33 A 500 V onsemi, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*

293,68 Kč

(bez DPH)

355,35 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 20 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
  • Plus 1 330 jednotka(y) budou odesílané od 02. června 2026
  • Plus 2 500 jednotka(y) budou odesílané od 09. července 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
10 - 9029,368 Kč293,68 Kč
100 - 24025,318 Kč253,18 Kč
250 - 49021,958 Kč219,58 Kč
500 - 99019,291 Kč192,91 Kč
1000 +17,537 Kč175,37 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
808-9010
Číslo zboží společnosti Distrelec:
304-45-656
Výrobní číslo:
FQD3P50TM
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ kanálu

Typ P

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

1.33A

Maximální napětí na zdroji Vds

500V

Řada

QFET

Typ balení

TO-252

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

4.9Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

18nC

Přímé napětí Vf

-5V

Maximální ztrátový výkon Pd

50W

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

150°C

Délka

6.73mm

Výška

2.39mm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

QFET® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


Nové planetární tranzistory MOSFET® společnosti Fairchild Semiconductor využívají Advanced, patentovanou technologii, která nabízí nejlepší provozní výkon ve své třídě pro širokou řadu aplikací, včetně napájecích zdrojů, PFC (korekce účiníku), DC-DC převodníků, plazmových panelů displeje (PDP), světelné předřadníky a ovládání pohybu.

Nabízejí snížení ztrát ve stavu snížením odporu (RDS(on)) a snížení ztráty spínání snížením nabití brány (QG) a kapacity výstupu (Coss). Díky Advanced procesní technologii QFET® může Fairchild nabídnout lepší hodnotu oproti konkurenčním planetovým zařízením MOSFET.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.