AEC-Q101, řada: QFET MOSFET FQD8P10TM Typ P-kanálový 6.6 A 100 V onsemi, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 671-1043
- Výrobní číslo:
- FQD8P10TM
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
142,77 Kč
(bez DPH)
172,75 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 15 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 7 200 jednotka(y) budou odesílané od 21. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 28,554 Kč | 142,77 Kč |
| 50 - 95 | 24,65 Kč | 123,25 Kč |
| 100 - 495 | 21,34 Kč | 106,70 Kč |
| 500 - 995 | 18,772 Kč | 93,86 Kč |
| 1000 + | 17,142 Kč | 85,71 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 671-1043
- Výrobní číslo:
- FQD8P10TM
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 6.6A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | QFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 530mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 12nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2.5W | |
| Přímé napětí Vf | -4V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 2.3mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 6.6mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6.6A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada QFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 530mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 12nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2.5W | ||
Přímé napětí Vf -4V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 2.3mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 6.6mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
Automobilový MOSFET, Fairchild Semiconductor
Společnost Fairchild Semiconductor nabízí řešení, která řeší složité problémy na automobilovém trhu. Nabízí důkladné řízení standardů kvality, bezpečnosti a spolehlivosti.
Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi
U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.
U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.
Související odkazy
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET Typ P-kanálový 12 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET Typ P-kanálový 1.33 A 500 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET Typ P-kanálový 9.4 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET FQD11P06TM Typ P-kanálový 9.4 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET FQD3P50TM Typ P-kanálový 1.33 A 500 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET FQD17P06TM Typ P-kanálový 12 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET Typ N-kanálový 9 A 200 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení