řada: QFET MOSFET Typ P-kanálový 9.4 A 60 V onsemi, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 124-1719
Výrobní číslo:: FQD11P06TM
Výrobce:: onsemi

řada: QFET MOSFET Typ P-kanálový 9.4 A 60 V onsemi, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*

28 620,00 Kč

(bez DPH)

34 630,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 10. září 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
2500 +	11,448 Kč	28 620,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 124-1719
Výrobní číslo:: FQD11P06TM
Výrobce:: onsemi

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	onsemi
	Typ kanálu	Typ P
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	9.4A
	Maximální napětí na zdroji Vds	60V
	Typ balení	TO-252
	Řada	QFET
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	185mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd	2.5W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	13nC
	Přímé napětí Vf	-4V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	No
	Délka	6.6mm
	Výška	2.3mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka onsemi
	Typ kanálu Typ P
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 9.4A
	Maximální napětí na zdroji Vds 60V
	Typ balení TO-252
	Řada QFET
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 185mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd 2.5W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 13nC
	Přímé napětí Vf -4V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení No
	Délka 6.6mm
	Výška 2.3mm
	Automobilový standard Ne

Rozšiřující režim, MOSFET P-Channel, ON on Semiconductor

Společnost ON Semiconductors řady P-Channel MOSFETS vyrábí s využitím technologie DMOS (polovlastní technologie), s vysokou hustotou buněk. Tento proces s velmi vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu a poskytoval robustní a spolehlivý výkon pro rychlé přepínání.

Charakteristiky a výhody:

• Malý signální spínač s kanálem P ovládaný napětím

• TCS s vysokou hustotou

• Vysoký sytost proudu

• vynikající přepínání

• Velmi odolný a spolehlivý výkon

• Technologie DMOS

Aplikace:

• Přepínání zatížení

• DC/DC převodník

• Ochrana baterií

• Ovládání řízení spotřeby

• Ovládání motoru stejnosměrným proudem

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi

U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.