MPN

řada: UltraFETMOSFET HUF75639G3 N-kanálový 56 A 100 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Fairchild Semiconductor
	Typ kanálu	N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud	56 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj	100 V
	Řada	UltraFET
	Typ balení	TO-247
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor kolektor/zdroj	25 mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody	2V
	Maximální ztrátový výkon	200 W
	Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-20 V, +20 V
	Počet prvků na čip	1
	Délka	15.87mm
	Šířka	4.82mm
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	110 nC při 20 V
	Maximální pracovní teplota	+175 °C
	Materiál tranzistoru	Si
	Výška	20.82mm
	Minimální provozní teplota	-55 °C

	Vybrat vše
	Značka Fairchild Semiconductor
	Typ kanálu N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud 56 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj 100 V
	Řada UltraFET
	Typ balení TO-247
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor kolektor/zdroj 25 mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody 2V
	Maximální ztrátový výkon 200 W
	Konfigurace tranzistoru Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V
	Počet prvků na čip 1
	Délka 15.87mm
	Šířka 4.82mm
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 110 nC při 20 V
	Maximální pracovní teplota +175 °C
	Materiál tranzistoru Si
	Výška 20.82mm
	Minimální provozní teplota -55 °C

Související odkazy

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.