řada: UltraFETMOSFET HUFA76429D3ST-F085 N-kanálový 20 A 60 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- Skladové číslo RS:
- 124-1427
- Výrobní číslo:
- HUFA76429D3ST-F085
- Výrobce:
- onsemi
Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné
- Skladové číslo RS:
- 124-1427
- Výrobní číslo:
- HUFA76429D3ST-F085
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální stejnosměrný odběrový proud | 20 A | |
| Maximální napětí kolektor/zdroj | 60 V | |
| Typ balení | DPAK (TO-252) | |
| Řada | UltraFET | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor kolektor/zdroj | 23 mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální prahové napětí řídicí elektrody | 3V | |
| Minimální prahové napětí řídicí elektrody | 1V | |
| Maximální ztrátový výkon | 110 W | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | -16 V, +16 V | |
| Maximální pracovní teplota | +175 °C | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Šířka | 6.22mm | |
| Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs | 38 nC při 10 V | |
| Materiál tranzistoru | Si | |
| Délka | 6.73mm | |
| Minimální provozní teplota | -55 °C | |
| Výška | 2.39mm | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální stejnosměrný odběrový proud 20 A | ||
Maximální napětí kolektor/zdroj 60 V | ||
Typ balení DPAK (TO-252) | ||
Řada UltraFET | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor kolektor/zdroj 23 mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální prahové napětí řídicí elektrody 3V | ||
Minimální prahové napětí řídicí elektrody 1V | ||
Maximální ztrátový výkon 110 W | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -16 V, +16 V | ||
Maximální pracovní teplota +175 °C | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Šířka 6.22mm | ||
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 38 nC při 10 V | ||
Materiál tranzistoru Si | ||
Délka 6.73mm | ||
Minimální provozní teplota -55 °C | ||
Výška 2.39mm | ||
- Země původu (Country of Origin):
- US
Související odkazy
- řada: PowerTrenchMOSFET FDD3682-F085 N-kanálový 32 A 100 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: PowerTrenchMOSFET FDD8444L-F085 N-kanálový 50 A 40 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- standard: AEC-Q100IGBT FGD3440G2-F085 N-kanálový 26 DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 1MHz Jednoduchý
- MOSFET 2SK2926L-E N-kanálový 60 A 60 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- MOSFET FQD7P06TM P-kanálový 5.4 A 60 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- MOSFET NTD5865NG N-kanálový 43 A 60 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- MOSFET 2SK2869L-E N-kanálový 80 A 60 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: PowerTrenchMOSFET FDD8424H-F085A N/P-kanálový-kanálový 20 A 40 V počet kolíků: 5 dvojitý Společný