řada: QFET MOSFET FQPF33N10L Typ N-kanálový 18 A 100 V onsemi, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 807-5908
- Výrobní číslo:
- FQPF33N10L
- Výrobce:
- onsemi
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 807-5908
- Výrobní číslo:
- FQPF33N10L
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 18A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | QFET | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 55mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 41W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 10.36mm | |
| Výška | 16.07mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 18A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada QFET | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 55mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 41W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 10.36mm | ||
Výška 16.07mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
QFET® N-Channel MOSFET, 11A až 30A, Fairchild Semiconductor
Nové planetární tranzistory MOSFET® společnosti Fairchild Semiconductor využívají Advanced, patentovanou technologii, která nabízí nejlepší provozní výkon ve své třídě pro širokou řadu aplikací, včetně napájecích zdrojů, PFC (korekce účiníku), DC-DC převodníků, plazmových panelů displeje (PDP), světelné předřadníky a ovládání pohybu.
Nabízejí snížení ztrát ve stavu snížením odporu (RDS(on)) a snížení ztráty spínání snížením nabití brány (QG) a kapacity výstupu (Coss). Díky Advanced procesní technologii QFET® může Fairchild nabídnout lepší hodnotu oproti konkurenčním planetovým zařízením MOSFET.
Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi
U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.
U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.
Související odkazy
- řada: QFET MOSFET Typ P-kanálový 47 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET Typ P-kanálový 30 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET Typ P-kanálový 5.2 A 200 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET Typ P-kanálový 19 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET Typ P-kanálový 17 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET Typ N-kanálový 10.5 A 400 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET Typ N-kanálový 5.5 A 800 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET Typ N-kanálový 19 A 200 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení