AEC-Q101 MOSFET NTR4003NT1G N-kanálový 560 mA 30 V onsemi, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 790-5283
- Výrobní číslo:
- NTR4003NT1G
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 100 kusech)*
256,40 Kč
(bez DPH)
310,20 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Nedostatečné zásobování
- 100 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 20 100 jednotka(y) budou odesílané od 17. září 2026
Naše současné skladové zásoby jsou omezené a naši dodavatelé očekávají nedostatek.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | 2,564 Kč | 256,40 Kč |
| 500 - 900 | 2,211 Kč | 221,10 Kč |
| 1000 + | 1,914 Kč | 191,40 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 790-5283
- Výrobní číslo:
- NTR4003NT1G
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 560mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 690mW | |
| Přímé napětí Vf | 0.7V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 1.15nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 1.01mm | |
| Šířka | 1.4mm | |
| Délka | 3.04mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 560mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 690mW | ||
Přímé napětí Vf 0.7V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 1.15nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 1.01mm | ||
Šířka 1.4mm | ||
Délka 3.04mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
N-kanálový výkonový MOSFET, 30 V, on Semiconductor
Tranzistory MOSFET, on Semiconductor
Související odkazy
- AEC-Q101 MOSFET N-kanálový 560 mA 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET NTR4003NT3G N-kanálový 560 mA 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET N-kanálový 2.5 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET N-kanálový 3.2 A 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET NVTR4503NT1G N-kanálový 2.5 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET NTR4503NT1G N-kanálový 2.5 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET NTR4501NT1G N-kanálový 3.2 A 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET Typ P-kanálový 1.3 A 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
