AEC-Q101 MOSFET NTR4501NT1G Typ N-kanálový 3.2 A 20 V onsemi, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 688-9146
- Výrobní číslo:
- NTR4501NT1G
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
21,00 Kč
(bez DPH)
25,40 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 98 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 5 214 jednotka(y) budou odesílané od 01. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 58 | 10,50 Kč | 21,00 Kč |
| 60 - 118 | 9,755 Kč | 19,51 Kč |
| 120 - 198 | 8,40 Kč | 16,80 Kč |
| 200 - 498 | 8,03 Kč | 16,06 Kč |
| 500 + | 7,655 Kč | 15,31 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 688-9146
- Výrobní číslo:
- NTR4501NT1G
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 3.2A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 80mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 0.8V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.25W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 2.4nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 12V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 2.9mm | |
| Šířka | 1.3mm | |
| Výška | 0.94mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 3.2A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 80mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 0.8V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.25W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 2.4nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 12V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 2.9mm | ||
Šířka 1.3mm | ||
Výška 0.94mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
N-kanálový výkonový MOSFET, 20 V, ON on Semiconductor
Tranzistory MOSFET, on Semiconductor
Související odkazy
- AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 3.2 A 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 2.5 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET Typ P-kanálový 1.3 A 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET Typ P-kanálový 1 A 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET NVR1P02T1G Typ P-kanálový 1 A 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET NTR4503NT1G Typ N-kanálový 2.5 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET NVTR4503NT1G Typ N-kanálový 2.5 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET NTR1P02LT3G Typ P-kanálový 1.3 A 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení