AEC-Q101 MOSFET NVTR4503NT1G Typ N-kanálový 2.5 A 30 V onsemi, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 780-4815
- Výrobní číslo:
- NVTR4503NT1G
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 25 kusech)*
158,075 Kč
(bez DPH)
191,275 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 08. června 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 6,323 Kč | 158,08 Kč |
| 100 - 225 | 5,444 Kč | 136,10 Kč |
| 250 - 475 | 4,723 Kč | 118,08 Kč |
| 500 - 975 | 4,15 Kč | 103,75 Kč |
| 1000 + | 3,784 Kč | 94,60 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 780-4815
- Výrobní číslo:
- NVTR4503NT1G
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 2.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 140mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 730mW | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 3.6nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 3.04mm | |
| Výška | 1.01mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 2.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 140mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 730mW | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 3.6nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 3.04mm | ||
Výška 1.01mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
N-kanálový výkonový MOSFET, 30 V, on Semiconductor
Tranzistory MOSFET, on Semiconductor
Související odkazy
- AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 2.5 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET NTR4503NT1G Typ N-kanálový 2.5 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET Typ P-kanálový 1.3 A 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 3.2 A 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET Typ P-kanálový 1 A 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET NVR1P02T1G Typ P-kanálový 1 A 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET NTR1P02LT3G Typ P-kanálový 1.3 A 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET NTR4501NT1G Typ N-kanálový 3.2 A 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení