řada: D Series MOSFET SIHD3N50D-GE3 N-kanálový 3 A 500 V, TO-252 Vishay, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení Jednoduchý
- Skladové číslo RS:
- 787-9143
- Výrobní číslo:
- SIHD3N50D-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Nedostupné
Společnost RS již nebude tento výrobek vést skladem.
Alternativa
Tento produkt není v současné chvíli dostupný. Prohlédněte si alternativní výrobek, který jsme pro Vás našli.
Kus (v zasuvnem prutu s 50)
886,25 Kč
(bez DPH)
1 072,36 Kč
(s DPH)
- Skladové číslo RS:
- 787-9143
- Výrobní číslo:
- SIHD3N50D-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Řada | D Series | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id) | 3 A | |
| Maximální napětí na zdroji (Vds) | 500 V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Výška | 2.38 mm | |
| Délka | 6.73 mm | |
| Maximální odpor zdroje (Rds) | 3.2 Ω | |
| Maximální napětí zdroje brány (Vgs) | 30 V, -30 V | |
| Maximální provozní teplota | 150 °C | |
| Maximální ztrátový výkon (Pd) | 104 W | |
| Minimální provozní teplota | -55 °C | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Šířka | 6.22 mm | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Řada D Series | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id) 3 A | ||
Maximální napětí na zdroji (Vds) 500 V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Počet kolíků 3 | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Výška 2.38 mm | ||
Délka 6.73 mm | ||
Maximální odpor zdroje (Rds) 3.2 Ω | ||
Maximální napětí zdroje brány (Vgs) 30 V, -30 V | ||
Maximální provozní teplota 150 °C | ||
Maximální ztrátový výkon (Pd) 104 W | ||
Minimální provozní teplota -55 °C | ||
Typ montáže Povrch | ||
Šířka 6.22 mm | ||
N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Související odkazy
- řada: D Series Výkonový MOSFET SIHD3N50D-GE3 N-kanálový 3 A 500 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: EF Series MOSFET SIHD250N60EF-GE3 N-kanálový 11 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHD690N60E-GE3 N-kanálový 6.4 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHD6N80AE-GE3 N-kanálový 5 A 850 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E Výkonový MOSFET SIHD2N80AE-GE3 N-kanálový 2.9 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E Výkonový MOSFET SIHD11N80AE-GE3 N-kanálový 8 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E Výkonový MOSFET SiHD5N80AE-GE3 N-kanálový 4.4 A 850 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E Series MOSFET SiHG17N80AEF-GE3 N-kanálový 15 A 850 V počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení