řada: Si4850EY MOSFET SI4850EY-T1-GE3 N-kanálový 8.5 A 60 V Vishay, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 787-9014
- Výrobní číslo:
- SI4850EY-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
297,88 Kč
(bez DPH)
360,44 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 150 jednotka(y) budou odesílané od 14. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 59,576 Kč | 297,88 Kč |
| 50 - 120 | 50,636 Kč | 253,18 Kč |
| 125 - 245 | 44,064 Kč | 220,32 Kč |
| 250 - 495 | 36,358 Kč | 181,79 Kč |
| 500 + | 28,504 Kč | 142,52 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 787-9014
- Výrobní číslo:
- SI4850EY-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 8.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Řada | Si4850EY | |
| Typ balení | SOIC | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 47mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20V, +20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 18nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 3.3W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 4mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 1.5mm | |
| Délka | 5mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 8.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Řada Si4850EY | ||
Typ balení SOIC | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 47mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 18nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 3.3W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 4mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 1.5mm | ||
Délka 5mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tranzistor MOSFET N-Channel, 60 až 90 V, společnost Vishay Semiconductor
Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor
Související odkazy
- řada: Si4850EY MOSFET SI4850EY-T1-GE3 N-kanálový 8.5 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: ThunderFET MOSFET SI4090DY-T1-GE3 N-kanálový 20 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: ThunderFET MOSFET SI4056DY-T1-GE3 N-kanálový 11.1 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: Si4190ADY MOSFET SI4190ADY-T1-GE3 N-kanálový 18 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: Si4178DY MOSFET SI4178DY-T1-GE3 N-kanálový 12 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI4154DY-T1-GE3 N-kanálový 36 A 40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: Si4116DY MOSFET SI4116DY-T1-GE3 N-kanálový 12.7 A 25 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI4840BDY-T1-GE3 N-kanálový 19 A 40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení