řada: Si4162DY MOSFET SI4162DY-T1-GE3 N-kanálový 13.6 A 30 V Vishay, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 710-3323
- Výrobní číslo:
- SI4162DY-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
168,95 Kč
(bez DPH)
204,45 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 24. listopadu 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 33,79 Kč | 168,95 Kč |
| 50 - 245 | 31,912 Kč | 159,56 Kč |
| 250 - 495 | 28,80 Kč | 144,00 Kč |
| 500 - 1245 | 26,972 Kč | 134,86 Kč |
| 1250 + | 25,442 Kč | 127,21 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 710-3323
- Výrobní číslo:
- SI4162DY-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 13.6A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Řada | Si4162DY | |
| Typ balení | SOIC | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 8mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20V, +20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2.5W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 20nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 1.5mm | |
| Délka | 5mm | |
| Šířka | 4mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 13.6A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Řada Si4162DY | ||
Typ balení SOIC | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 8mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2.5W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 20nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 1.5mm | ||
Délka 5mm | ||
Šířka 4mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Tranzistor MOSFET N-Channel, 30 až 50 V, společnost Vishay Semiconductor
Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor
Související odkazy
- řada: Si4162DY MOSFET SI4162DY-T1-GE3 N-kanálový 13.6 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET SI4155DY-T1-GE3 Typ P-kanálový 13.6 A -30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI4154DY-T1-GE3 N-kanálový 36 A 40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: Si4134DY MOSFET Si4134DY-T1-GE3 N-kanálový 14 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: Si4116DY MOSFET SI4116DY-T1-GE3 N-kanálový 12.7 A 25 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI4128DY-T1-GE3 N-kanálový 10.9 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: Si4848DY MOSFET SI4848DY-T1-GE3 N-kanálový 2.7 A 150 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: ThunderFET MOSFET SI4056DY-T1-GE3 N-kanálový 11.1 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení