řada: Si4178DY MOSFET SI4178DY-T1-GE3 N-kanálový 12 A 30 V Vishay, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 165-7249
Výrobní číslo:: SI4178DY-T1-GE3
Výrobce:: Vishay

řada: Si4178DY MOSFET SI4178DY-T1-GE3 N-kanálový 12 A 30 V Vishay, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*

13 950,00 Kč

(bez DPH)

16 875,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 22. ledna 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
2500 +	5,58 Kč	13 950,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 165-7249
Výrobní číslo:: SI4178DY-T1-GE3
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	12A
	Maximální napětí na zdroji Vds	30V
	Řada	Si4178DY
	Typ balení	SOIC
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	33mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Přímé napětí Vf	0.85V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	25V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	5W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	7.5nC
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	RoHS
	Délka	5mm
	Šířka	4mm
	Výška	1.55mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 12A
	Maximální napětí na zdroji Vds 30V
	Řada Si4178DY
	Typ balení SOIC
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 33mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Přímé napětí Vf 0.85V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 25V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 5W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 7.5nC
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení RoHS
	Délka 5mm
	Šířka 4mm
	Výška 1.55mm
	Automobilový standard Ne

Země původu (Country of Origin):: CN

MOSFET řady Vishay Si4178DY, maximální zdrojové napětí vypouštění 30 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 12 A – SI4178DY-T1-GE3

Tento MOSFET je vylepšovací zařízení N-kanálu pro povrchovou montáž určené pro spínání a správu napájení v kompaktních elektronických systémech. Nabízí zvládání středního napětí a vysokou schopnost trvalého proudu, což je vhodné pro aplikace, kde je vyžadováno efektivní vysokoproudé spínání a tepelná odolnost. Součást je v souladu s RoHS a je určena pro montáž na úroveň desky v průmyslových a komerčních projektech.

Charakteristiky a výhody:

• Jmenovitý vypouštěcí proud 30 V umožňuje spínání při středním napětí
• Stálý proud 12 A podporuje řízení vysokého proudového zatížení
• Rds(on) 33 mΩ snižuje ztráty při vedení v napájecích cestách
• Typické náboje hradla 7.5 nC umožňuje rychlé přechody hradla
• Rozptýlení výkonu 5 W pomáhá řídit tepelnou zátěž v malých pouzdrech

Aplikace

• Vhodné pro výstupní stupně měničů DC/DC
• Ideální pro správu baterií a rozvod napájení
• Používá se s ovladači motorů pro kompaktní pohony
• Lze použít pro spínání zátěže v telekomunikačních zařízeních

Jaká omezení napětí hradla musí konstruktéři dodržovat?

Zařízení přijímá napětí až 25 V mezi hradlem a zdrojem, takže ovladače hradla musí zůstat v tomto limitu, aby se zabránilo namáhání oxidem hradla.

Jak tepelná výkonnost ovlivňuje rozhodnutí o uspořádání PCB?

S jmenovitým rozptylem 5 W by konstruktéři měli zajistit dostatečnou plochu mědi a tepelné vedení pod půdorysem SOIC, aby se zlepšil šíření tepla a udržovala teplota spoje v mezích.

V jakém rozsahu okolní teploty může pracovat?

Funguje spolehlivě v rozsahu -55 °C až 150 °C, což informuje o výběru pro aplikace vystavené širokým tepelným extrémům.

Jaké úvahy o balení a montáži ovlivňují montáž?

Díl je dodáván v pouzdru pro povrchovou montáž SOIC-8 s celkovou výškou profilu 1,55 mm, takže konstrukce šablony a objem pájecí pasty musí být laděny pro konzistentní pájecí spoje.