AEC-Q101 Výkonový MOSFET NTJD5121NT1G N-kanálový 300 mA 60 V, SC-88, počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (50 jednotky/-ek, v balení po 50 ks)*

125,65 Kč

(bez DPH)

152,05 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 28 750 jednotka(y) budou odesílané od 05. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
50 +2,513 Kč125,65 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
780-0627
Výrobní číslo:
NTJD5121NT1G
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ kanálu

N

Typ produktu

Výkonový MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

300mA

Maximální napětí na zdroji Vds

60V

Typ balení

SC-88

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

6

Maximální odpor zdroje Rds

2.5Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

0.9nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

266mW

Maximální napětí zdroje brány Vgs

-20V, +20V

Přímé napětí Vf

0.8V

Konfigurace tranzistoru

Izolovaný

Maximální provozní teplota

+150°C

Šířka

1.35mm

Délka

2.2mm

Normy/schválení

No

Výška

1mm

Počet prvků na čip

2

Automobilový standard

AEC-Q101

Duální MOSFET N-Channel, ON on Semiconductor


Tranzistory MOSFET, on Semiconductor


Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.